东芝推出降低导通电阻的40V/45V耐压功率MOSFET

 　　东芝推出降低了导通电阻的＋40V/＋45V耐压的n通道型功率MOSFET。该产品属于该公司低耐压n通道型功率MOSFET产品群“U-MOS IX-H系列”，此次推出了＋40V耐压的9款产品和＋45V耐压的5款产品。通过利用该公司最新的工艺技术“U-MOS IX-H”制造，降低了导通电阻与栅极电荷量之积——性能指数（FOM：Figure of Merit）。据该公司介绍，“低导通电阻和高速开关实现了业内最高性能”。另外，采用了抑制开关工作时产生的电脉冲及振铃（Ringing）的单元结构，因此可以降低开关噪声，可以减小电磁辐射噪声（EMI）。该产品适用于工业设备及消费类产品所配备的DC-DC转换器、AC-DC转换器（开关电源）及马达驱动电路等。