LED:新型衬底与MicroLED是发展新动力在行业经历疯狂之后,LED产业逐步平稳,产业转移、产能过剩、新技术挑战等等因素都使得深耕LED的产业人士,特别是处于LED最大市场的中国企业家、专家不得不寻找产业的新增长点--寻找优良的衬底技术与发展MicroLED。在衬底技术方面,硅衬底材料的出现是结合了导热性、成本低、工艺成熟等优势的融合。发展硅衬底技术能进一步推动LED照明技术革新。
MicroLED为LED技术的微型化和矩阵化。在智能终端小型化、物联网时代趋势带动下,MicroLED成为平板显示界的新热点。
化合物半导体是未来核心材料从2000年开始,化合物半导体市场逐步扩大,以砷化镓(GaAs)、氮化镓、碳化硅为首的半导体材料应用增多。第三代半导体是以GaN、Sic与ZnO,由于其极高的光电转化效率,多制备成宽禁带、高功率、高效率的微电子、电力电子、LED光电等器件。由于氮化镓的应用范围主要在中低功率产品,相关机构由此预估,氮化镓半导体材料在2015年2021年期间成长率达到83%,其中电源应用占比较大,达到近60%;相比而言,碳化硅由于市场空间小,成长相对缓慢,成长率在21%左右。全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链,在功率器件、射频器件,与终端消费电子领域有极大市场。我国作为相关器件的消费大国,通过提升制造能力,正以全新姿态往化合物半导体方向布局。
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1)三安光电是我国LED芯片龙头厂商,从2014年开始布局化合物半导体。
依靠其在LED领域对GaN技术的理解,公司能更快的转化原有优势,实现业务的全面布局。公司2015年公布定向增发,在化合物半导体募投项目中,以36万片/年为核心目标,目前月产能4千片。公司对于第三代半导体材料氮化镓有深远战略布局,涵盖材料供应与设备制造两大环节。
2)作为我国功率器件龙头,扬杰科技的业务覆盖功率器件的设计、制造、封装及产品销售,产品包括功率二极管、整流模块、光伏二极管、晶闸管等。公司在内生与外延方面双向加深,定增碳化硅器件项目在进行中。