早年，中村修二中村修二于1993年在日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)就职期间，基于GaN开发了高亮度蓝色LED，从而广为人知。当时，开发一种蓝色LED被认为是无法实现的真空区，无法找到合适的光源材料来进行试验，后来在1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED，经过两年时间的研发，在1991年获得氮化镓成长的关键技术。1993年，中村教授成功凭借物理手段在LED照明技术的基础上研发了高亮度青色发光二极管。1995年，他开始专注于研发蓝色极光二极管，InGaN/氮化镓青色半导体激光的室温脉冲振荡的实现，又于1997年转向紫外LED的研发。在美任教期间，中村教授与赤崎勇、天野浩同时研究“青色发光半导体设备的开发”，并在水提取氢的技术上有所突破。2006年5月，中村修二博士与加州大学巴巴拉分校(UCSB)研究小组制造出第一款无极性(non-polar)和半极性(semi-polar)GaN 衬底LED，革新了现行发光设备的设计开创理念。
中村修二教授的创举使得LED生产商能够生产三原色（红、绿和蓝）LED，从而使实现1600万色成为可能。或许最为重要的是，LED行业利用这种新技术来开始白色LED（半导体生态光源）的商业化生产。在科学用光、绿色照明的应用领域上迈向了更光明的未来。在此次上虞国际先进照明论坛会议上，中村教授将根据自己近年的研究经验和新型的照明光电成果，就LED行业的动态，展开光电领域内高效的交流与探讨。相信此次会议一定会把先进的照明技术推向世界的各行各业，在国际上刮起一阵光源驱动之风。
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