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中村修二:LED与LDs的技术进展与趋势

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-06-05 来源:中国半导体照明网浏览次数:373
  近日,由国际电光源委员会(FAST-LS)、国际半导体照明联盟(ISA)、复旦大学电光源研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、浙江省绍兴市上虞区人民政府主办的国际先进照明科技会议(ALST2017)在浙江上虞召开。
 
  会上,2014年诺贝尔奖获得者、美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二出席会议并做精彩专题报告,分享了LED照明与激光照明的技术进展及趋势。中村修二表示,太阳光无论是对人还是植物都是最好的,从光谱来看,目前的人工光,包括白光LED与日光是不同的,在光谱完整性,色彩质量方面还需要进一步提升。
 
  对于目前LED照明技术,中村修二详细介绍了GaN Tunnel junciton技术,他表示,该技术有助于提高LED的发光效率。
  GaN tunnel junciton 优势
tunnel junction blue led
tunnel-junction525nm

      激光照明是中村修二近年来的研究方向之一,有资料显示,激光照明不仅能增加投射距离,提高安全性,同时体积更小、结构更紧凑。此次会上,中村修二介绍了高功率半极LDs技术,加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)的研究成果以及采用LED和激光的LiFi。

关于激光照明
UCSB蓝色激光结构
LED与激光lifi速率
激光对lifi应用
激光未来

  中村修二表示,除了照明领域之外,激光显示在投影机、数字院线、汽车、电视、舞台灯等多个领域将有广阔的应用。
 
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