国际并购频现，巨头完善布局
2016年，半导体领域的并购案达46起，其中直接涉及第三代半导体的4项，涉及交易金额超过100亿美元。其中Infineon收购Cree分拆的Wolfspeed对产业格局影响最大。
几大半导体巨头均逐步完成了从材料、器件、模组和系统解决方案全产业链的贯通。
小编胡评：虽然英飞凌收购Wolfspeed项目落空了，依然挡不住土豪们的投资热情，有了土豪的青睐，第三代半导体想不火都难！
大基金助推我国半导体产业发展壮大
2014年我国成立“国家集成电路产业投资基金”（下称“大基金”），规模超过1300亿元，投资布局集成电路和半导体全产业链的相关领域。
2015年6月，大基金48.39亿元入股三安光电，同时，国家开发银行也以最优惠利率向三安提供200亿元贷款，支持三安围绕GaAs和GaN材料，开展新技术研发、生产线建设与境内外并购。
此外，大基金还划拨10%-20%的资金投资地方企业集成电路产业基金。在其引导下，北京、上海、武汉、深圳等多地均纷纷建立投资基金，支持本地集成电路和半导体产业发展。
据初步统计，目前各地涉及第三代半导体的地方基金规模超过1600亿元。以大基金为杠杆，引领、吸引和撬动更大规模的地方资金外，民间资金也开始投入第三代半导体产业，国家、地方、企业联动的投融资生态逐步形成，将加快我国第三代半导体产业的发展进程。
国内投资热潮初步显现
据初步统计，2015年下半年至2016年底已经立项（已经环评公示）的第三代半导体相关项目达18项，总投资金额近180亿元，共涉及投资主体企业15家。
从投资的构成来看，SiC材料相关投资项目8个，投资额约64亿元，其中厦门三家企业投资规模达40亿元，占62.5%。
SiC单晶衬底环节，在建项目主要有青海矽珂和芜湖太赫兹，将新增超过10万片SiC单晶的产能。
SiC外延片目前投资项目多达5个，建成后将带来143万片（4英寸）的年产能。
此外，流片、器件和模组环节投资达36.52亿元，将新增器件产能超过30万片，模组1150万套，带来直接经济产值超过70亿元/年。
GaN材料（不含LED）相关投资主要集中在外延、芯片环节，6个相关项目投资额达90亿元左右，新增产能达130万片，其中明确面向微波射频领域的项目主要有三安光电的通讯微电子项目。
从投产时间来看，绝大部分SiC、GaN项目尚在建设中，加上设备调试和技术磨合时间，预计产能真正发挥作用将要到2018年，届时产业发展速度将显著提速。
小编胡评：我国第三代半导体产业刚刚起步，在国家基金和民间资金等各路财神的支持下，我国第三代半导体产业朝着战略制高点飞速前进！
