2017年6月25日，第三代半导体创新战略发布会在北京中国职工之家隆重召开。此次发布会由第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“联盟”）主办，来自部委、地方政府的30多位领导以及十多位院士、200多位行业同仁共同见证了第三代半导体研究院、第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛等对第三代半导体产业技术发展意义重大的创新战略举措的发布。
会议现场
国际半导体照明联盟主席、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任曹健林，国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇院士，北京有色金属研究总院名誉院长屠海令院士，中国科学院半导体研究所陈良惠院士，中国科学院半导体研究所夏建白院士，南京大学教授郑有炓院士，中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室主任刘明院士,科技部高新司司长秦勇，科技部火炬中心主任张志宏，联盟指导委员会副主任赵玉海，联盟指导委员会副主任、国际半导体照明联盟联合秘书长靳晓明，联盟指导委员会秘书长、中国科学学与科技政策研究会副理事长李新男，联盟理事长吴玲以及来自广东、厦门、芜湖吉林、张家口、成都、常州等地方政府、科技部门的众多领导及业内专家出席了会议。
曹建林主席在致词中表示，看到这么多既有来自大学、科研院所的科研机构，也有来自产业界的企业和科技部及各地政府的官员一起来开会，感到大家对中国第三代半导体产业的重视。大家来这里不仅仅是为得到一些信息，更重要的是想通过获取、交流信息真正的能够联合起来，一起把第三代半导体事业做大，做强。中国发展第三代半导体有一些独到的优势，我们有信心把第三代半导体做好。中国最重要的优势是有全球最大的市场。其次，我们正在推进科技体制机制的创新，尽管有很多问题，但我们愿意不断努力共同发展这份事业。像习总书记讲的撸起袖子扎扎实实的干，相信我们一定会在第三代半导体上取得成功。
干勇院士在致辞中表示，中国第三代半导体在研发应用上和发达国家差距较小，甚至有些地方是领先的，以后将会是中国新材料非常值得骄傲的领域。第三代半导体将是下一代节能减排、高端制造重要的支撑材料，今天联盟的创新发布会非常及时，把企业、院所、大学等各种力量集中在了一起。这两天科技部正在牵头制定新材料的国家重大专项方案，第三代半导体占有重要地位，目标很明确，实现到2030年通过应用第三代半导体实现节约标煤5.6亿吨，二氧化碳减排12.6亿吨，这个数据相当大，我们感到相当鼓舞。在5G上硅材料已经达到极限，所以氮化镓射频器件将全面应用在5G上，为我们国家微电子技术做出更大贡献。希望大家一起推动第三代半导体为国家做出更大贡献。
国际半导体照明联盟主席、联盟指导委员会主任 曹健林
中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任 干 勇
吴玲理事长做了题为“第三代半导体发展战略”的报告。吴玲在报告中指出,绿色低碳、万物互联、智能化已成为全球共识,第三代半导体是支撑国家重大战略需求、实现引领发展、重朔全球半导体战略格局的重大选择。第三代半导体创新发展的时机已经成熟,目前正处于窗口期，一方面国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，中国精密加工制造技术和配套能力的进步迅速，具备开发并逐步主导该产业的能力和条件；另一方面，各地产业转型升级的需要很强，具有中国特色的“政产学研用”协同创新模式，也为第三代半导体产业的发展提供了可借鉴的经验和成功的可能性。第三代半导体需要创新来引领，改革来推动，依托联盟建设小核心、大网络、主平台、全体系，形成产业创新体系和可持续发展的生态环境，从战略高度，全面、深入整合和利用国际资源。我们的目标是到2030年，全产业链进入世界先进行列，部分核心关键技术国际引领，产业链核心环节形成1-3家世界龙头企业，光电子、电力电子和微波射频全面规模应用，市场渗透率超过70%，国产化率超过70%。
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长 吴 玲
会上曹健林主席、赵玉海主任、吴玲理事长为联盟新成立的京津冀协同创新委员会、军民融合委员会、一带一路委员会、投融资委员会等委员会主任和副主任颁发了聘书。其中，军民融合委员会主任由中国工程院院士、中国运载火箭技术研究院航天材料及工艺研究所副所长李仲平，中国电子科技集团公司第十三研究所所长卜爱民共同担任；一带一路委员会由国际半导体照明联盟联合秘书长靳晓明，国家半导体照明工程研发及产业联盟研发执行主席李晋闽共同担任；京津冀协同创新委员会由中国科学研究院半导体所研究员陈弘达，中国电子科技集团公司第13研究所副所长蔡树军共同担任；投融资委员会由中国科学学与科技政策研究会副理事长、联盟指导委员会秘书长李新男，中军金控董事长藏家顺共同担任。
新成立分委会聘书颁发
第三代半导体材料及应用技术涉及材料、能源、交通、信息、装备和自动化等多个领域，具有多学科交叉、融合的特点，从基础研发到工程化应用的产业链条长、应用覆盖面广，现阶段没有任何企业有能力独自完成全链条的技术创新，需要抱团发展；同时产业发展初期也需建立不封闭于企业内、开放的研发和中试平台。为了解决以上问题，同时放大国家投入的能力，降低行业整体研发成本，提高国家研发投入的回报，减少主体企业经营风险，吸引国际化一流人才，并与企业不形成竞争关系，在政府相关部门指导下，第三代半导体产业技术创新战略联盟发起组建了北京国科第三代半导体创新研究院，以服务企业为宗旨，支撑企业成为创新主体。
会上，联盟理事长吴玲与全球能源互联网研究院、株洲中车时代电气股份有限公司、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、中电科电子装备集团有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、山东天岳先进材料科技有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司11家企业代表共同签署了共建研究院的战略合作协议。研究院将围绕产业链构建创新链，通过资源整合、优势互补、错位发展，建立体制机制创新的开放式、国际化、全体系的第三代半导体协同创新平台，推动中国第三代半导体全产业链进入世界先进行列。
北京国科第三代半导体产业技术研究院联合共建签约
曹健林主席、张志宏主任与广东省科技厅副厅长杨军，厦门市科技局局长沈灿煌，北京市顺义区副区长初军威，吉林省科技厅调研员蒋有文，张家口市经开区党工委副书记、管委会主任李正朴，江苏常州武进高新区副主任李磊，成都高新区创新中心主任缪晓波，芜湖国家高新技术产业开发区微电子产业办公室主任王东升共同启动了第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛。联盟吴玲理事长为广东、厦门、芜湖、吉林、张家口、成都、常州7个地方赛组委会颁发了授权书。
联盟为地方赛组委会颁发授权书
值第三代半导体创新战略发布会召开之际，第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛正式启动，并联合大企业共同发布企业命题。国际第三代半导体创新创业大赛由联盟发起，于2017年3月被纳入中国创新创业大赛专业赛体系。第二届国际第三代半导体创新创业大赛设立京津冀、南方、长三角、东北、西部、中部、厦门等分赛区，比赛地点分别为河北张家口、广东东莞、江苏常州、吉林长春、四川成都、安徽芜湖、福建厦门。国际项目将在意大利、英国、荷兰、芬兰四国征集。大赛将在北京市顺义区举行的北京SSL国际论坛上进行全球总决赛、颁奖、项目对接和展示。
第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛启动仪式
大赛创新性的引入大企业带小项目参加比赛，将为获奖项目落地提供超过2000万元的资金支持。大企业应标成功项目，还可以获得龙头企业产业渠道对接及50亿元产业基金支持。此外，大赛联合国内知名投资机构设立100亿元投融基金池，全面覆盖参赛获奖项目和行业内的创新创业项目。
大赛将通过赛事平台选拔出一批优质的企业和创业团队，全面整合国内外优秀的第三代半导体创新项目，加速科技成果转移转化与各地政府科技资源开放共享，通过北京辐射全国，形成第三代半导体上、中、下游完整的产业生态链。
之后，南京大学郑有炓院士做了题为“第三代半导体发展现状及趋势”的报告，全球能源互联网研究院邱宇峰书记做了“第三代半导体在电力电子领域的应用与需求”的报告，中国电子科技集团公司第十三研究所蔡树军副所长做了“GaN材料及应用技术进展”的报告。会议由联盟秘书长于坤山主持。
南京大学教授、中科院院士 郑有炓
全球能源互联网研究院书记 邱宇峰
中国电子科技集团公司第十三研究所副所长 蔡树军
此次发布会对于第三代半导体产业发展意义重大，得到了科技部、工信部以及多个地方政府的支持和参与，形成了国家部委、地方政府从顶层规划到落地实施的协同推进、共同创新的良好态势，揭开了第三代半导体创新发展的新篇章。
目前，第三代半导体材料正处于产业应用起步阶段，相比第一、第二代半导体，第三代半导体材料在大功率、高温、高频、抗辐射微电子领域，以及短波长光电子领域有明显优势，正在成为抢占下一代信息技术、节能减排技术及国防安全技术的战略制高点。
