与硅相比，氮化镓技术可以实现更快开关的功率器件，具有更高的击穿电压和较低的导通电阻，因而氮化镓成为先进功率电子器件的理想材料。比利时微电子研究中心的硅基氮化镓功率器件技术不采用金属，并且与硅晶圆厂的晶圆处理和污染要求相符合。氮化镓器件结构的关键部分是缓冲层，它需要适应AlGaN/GaN材料体系和硅衬底之间的晶格参数和热膨胀系数的巨大差异。比利时微电子研究中心在缓冲层设计方面取得了突破性进展（正在申请专利）：允许在大直径200mm晶圆上生长650VGaN缓冲层。通过将硅衬底的厚度和掺杂相结合，200mm氮化镓衬底的产量不断增加，可以低成本生产氮化镓功率器件，逐渐具有竞争力。此外，研究人员已优化清洗和介电沉积条件，并且将继续研究场板设计（用于实现性能改进的常用技术）。因此，该器件在25℃~150℃全温度范围、650V内呈现出低于20%的动态导通电阻。这意味着从关断状态切换后的晶体管导通状态几乎没有变化，这是氮化镓技术的典型挑战。
比利时微电子研究中心氮化镓技术的项目经理Stefaan Decoutere说：“在大直径衬底（200mm/8英寸）上制成硅基氮化镓功率器件后，接下来，比利时微电子研究中心将对常闭式/增强型氮化镓功率器件技术进行原型设计、小产量生产以及全技术转移。在增强型功率器件开关旁边，Imec还提供侧向肖特基二极管，用于功率开关。基于Imec专有器件架构，该二极管结合了低开启电压和低泄露电流，高达650V——这是一个非常具有挑战性的组合。”（工业和信息化部电子第一研究所 许文琪）
