“换道超车” 一定别错过这个 　　

 

　　随着科学技术和经济社会飞速发展，对电力电子器件不断提出新的更高需求，Si器件性能的提升已接近材料物理极限，面临严峻挑战。为高能效又兼具极端性能和耐恶劣环境的宽禁带电力电子器件带来发展机遇。

 

　　以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大，击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等材料特性以及高效、高频、高温、高可靠性、体积小、重量轻等应用优势，在可再生能源利用、新能源汽车、智能电网、高速轨道交通、航空航天、消费类电子等领域有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料，正在成为全球半导体产业新的战略高地，也是全球半导体研究的前沿和热点。

 

　　当前，国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，被认为是“换道超车”的重要发展窗口期，我国也在积极推进宽禁带半导体的发展。

 

　　为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强交流与协同创新，8月10日-12日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会主办，广东省科学院、广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办的第二届全国宽禁带半导体学术会议将在青海省会西宁召开。

 

　　此前，由中国电子学会电子材料学分会发起并主办、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办的第一届全国宽禁带半导体学术会议于2015年10月31日-11月2日在苏州成功举行，参会规模近500人。

 

　　2014年5月在扬州召开的13届全国MOCVD会议期间，会议主办方中国有色金属学会时任主要领导深刻感受到宽禁带半导体材料与器件蓬勃发展态势，并意识到后续广阔发展前景，决定推动依托中国有色金属学会成立一个专业委员会，以搭建一个能持续稳定推动我国宽禁带半导体发展的平台。经过20个月的筹备,最后报中国科协备案，成立了全国性宽禁带半导体学术组织--中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会,并于2015年12月11日在广东省东莞市隆重举行成立仪式暨首届宽禁带半导体学术研讨会，来自国内宽禁带半导体学术界和产业界的专家学者进行了两天的学术交流。

 

　　2016年在延吉召开的14届全国MOCVD 会议期间，“宽禁带半导体专业委员会”与“电子材料学分会”联合开会讨论决定：全国宽禁带半导体学术会议自第二届开始将由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会共同举办；第二届全国宽禁带半导体学术会议定于2017年8月10日-8月12日在青海西宁市举行。

 

　　第二届全国宽禁带半导体学术会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。

 

　　火热的话题、强大的嘉宾团加上高质量的内容，为本届会议凝聚了超高的人气。其中，原国家科学技术部副部长曹健林，中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓将领衔担任名誉主席。同时来自中国科学院、中国工程院的多位院士，以及全国宽禁带半导体照明领域的优势力量集聚共同坐镇，为大会提供强有力的支持。

 

　　大会不仅收到了大批高质量的论文，而且各大科研机构、高校、名企也积极派代表报名参会。据组委会介绍，截止日前，已有投稿170余篇，大会邀请报告10篇，分会邀请报告近40篇。

 

　　一、大会主要日程

 

　　二、大会邀请报告：（审核中）

 

　　三、大会分会场主题：

 

　　1、材料生长（氮化物半导体、氧化物半导体、SiC、金刚石等）2、材料物性和表征方法（光、电、磁、热性质、缺陷物理等）3、光电子器件及其应用（LED、LD、光电探测器等）4、电子器件及其应用（射频电子器件、功率电子器件等）5、新型宽禁带材料与器件（超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等）