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氮化镓|美国纳微半导体公司即将展出最新GaN功率芯片

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-09-08 来源:材料深一度浏览次数:414
  导读
 
  在今年举办的第十六届电源技术研讨会(Power 2017)中,来自美国加州的Navitas(纳微)半导体公司将预计展示最新的氮化镓(GaN)功率芯片,该芯片主要应用于智能移动、工业以及消费电子领域。
 
  关于Navitas(纳微)
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图1  Navitas 功率芯片
 
  Navitas半导体公司是世界上第一个也是唯一的 GaNPower IC 公司,于 2013 年在美国加利福尼亚州El Segundo 成立。Navitas 拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、应用程序、系统和营销、以及创新的成功记录,其创始人拥有超过200项专利。
 
  专有的 AllGaN? 工艺设计套件将最高性能的 GaN FET 与逻辑和模拟电路单片集成(图2)。Navitas GaN 功率IC为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源。
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图2  AllGaN技术演示图
 
  关于AllGaN技术
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图3  Navitas GaN功率芯片性能对比
 
  对比传统硅材料器件,Navitas的GaN功率芯片具有在体积大小、重量、成本方面的巨大优势,同时将节能水平提升了5倍。高度集成化设计是降低延迟和寄生电阻的重要方法。因此,Navitas可以将传播延迟控制在5ns之内,并将传统转换器的频率(65-100kHz)提升到MHz级别。
 
  展会预期
 
  Navitas公司表示,公司会针对重要客户提供更好的服务,以保证第一时间的市场应用。目前,该公司的AllGaN技术主要应用在20w-500w的AC-DC电源设备中。
 
  Power2017 是一次非常好的机会向中国的用户展示Navitas 独有的GaN技术,同时能够使我们的用户接触并使用到市场领先的电源转换器技术。除此之外,方便高效的GaN 功率芯片能够帮助中国的设计者在规定的计划周期中设计出下一代电源解决方案。
 
  Stephen Oliver, VP sales& marketing
  Navitas
 
  中国的设计者正在寻求一种高品质消费电子级电源转换方案,我们很期待Navitas公司独有的GaN 功率芯片技术。
 
  Daphne Liu, 总经理
  21IC 中国电子网
 
  扩展阅读
 
  今年2月,Navitas公司就已经推出了首款集成式半桥 GaN功率芯片。该芯片能够实现在开关速度方面有100倍的提升,同时,功耗还可以节省40%以上。
 
  今年6月,该公司发布了突破性的150W AC-DC演示芯片,其具有21 W/in3的单位功率以及95%的转换效率,而且体积还是传统商业化产品的一半。
 
  今年8月,该公司的AllGaN技术成功被美国PowerAmerica协会采用以用来研发下一代手机快充技术。
 
  出自:www.navitassemi.com
 
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