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扎根第三代半导体，谁将脱颖而出？

发布日期：2017-10-11 来源：中国半导体照明网作者：JACK浏览次数：386

　　近年来，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目，成为全球半导体研究开发的前沿和热点。该半导体材料可实现高压、高温、高频、高抗辐射能力，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”，以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子领域拥有广阔的应用前景。

　　谁将抢占第三代半导体材料战略制高点？

　　从国际竞争角度看，美、日、欧等发达国家已将第三代半导体材料列入国家计划，并展开全面战略部署，欲抢占战略制高点。

　　我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从2004年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013年科技部在863计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。

　　2016年2月19日，科技部正式发布 “战略性先进电子材料”重点专项第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料等4个方向部署35个任务，专项实施年限为5年，即2016 ~ 2020年。该重点专项总目标是面向国家在节能环保、智能制造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需求，支撑“中国制造2025”、“互联网 +”等国家重大战略目标，瞄准全球技术和产业制高点，抓住我国“换道超车”的历史性发展机遇，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，通过体制机制创新、跨界技术整合，构建基础研究及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链，并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队，培育一批具有国际竞争力的龙头企业，形成各具特色的产业基地。

　　此外，为贯彻实施制造强国战略，加快推进新材料产业发展，国务院于2016年年底成立国家新材料产业发展领导小组。2017年2月28日，我国成立国家新材料产业发展专家咨询委员会。中共中央政治局委员、国务院副总理、国家新材料产业发展领导小组组长马凯亲自为每位委员颁发聘书。其中，中国工程院院士干勇任专家咨询委员会主任，中科院副院长、院士张涛，北京航空航天大学校长、院士徐惠彬，东华大学副校长、院士俞建勇，中国航天科技集团航天材料及工艺研究所副所长、院士李仲平和北京科技大学原副校长、院士谢建新任专家咨询委员会副主任。国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）秘书长吴玲、中科院半导体研究所副所长陈弘达等42位专家受聘为委员会成员。专家咨询委员会的成立势必为推动我国新材料产业快速健康发展提供智力支撑、作出更大贡献。

　　吴玲秘书长也曾表示：“当前全球第三代半导体技术产业正处于快速发展的窗口期，它的发展受到了各国政府以及更大范围产业的重视和支持。氮化镓是第三代半导体材料的典型代表。在过去十年中，在半导体照明的拉动下，氮化镓无论是材料和器件都得到了大幅的发展。未来氮化镓需要跟更多的应用需求相结合，并将在电力电子、通讯等领域有更广阔的发展空间。同时也将带动更多的下游应用领域的快速发展。”

　　业内专家也认为，我国在第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同，我国在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距不大，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势，并且有机会实现超越。

　　扎根第三代半导体，谁能率先脱颖而出？

　　虽然第三代半导体产业正处在发展培育阶段，不过已经涌现出了一批具有特色和竞争实力的企业新秀，其中不乏上市公司暗中潜伏。看似第三代半导体产业竞争风平浪静，其实早已暗流涌动。未来谁能率先脱颖而出，还要看最新产业技术动向。

　　为助力中国第三代半导体行业发展提质增效，更好地整合国内外第三代半导体行业的优势资源，实现中国半导体行业迅速崛起。在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和中关村科技园区顺义园管理委员会主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）将于2017年11月1日-3日在北京首都机场希尔顿酒店召开。

　　2017国际第三代半导体论坛是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是全球性、高层次的综合性论坛。论坛以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。论坛中外方主席由中华人民共和国科学技术部原副部长曹健林和美国国家工程院院士、加利福尼亚大学杰出教授，Transphorm联合创始人Umesh K. MISHRA分别担任。

　　2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）紧跟国际政策及产业发展前沿动向精心主题策划，得到了众多业内专家的指导和认可。除了开闭幕大会外，也设置了包括“碳化硅材料与器件”、“氮化镓功率电子器件”、“SiC/GaN电力电子封装、模块与可靠性”、“第三代半导体与微波射频技术”、“第三代半导体与固态紫外器件”、“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”和第三代半导体专业技术培训七场专题技术分会。每场会议均邀请了第三代半导体各细分领域顶尖国内外专家进行主题报告深度讲解，论坛全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，全面讲解第三代半导体产业发展新趋势、新发展和新风向。

　　除此之外，同期还有第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2017）、国际半导体照明联盟(ISA)成员大会、国际第三代半导体创新创业大赛、国际半导体照明先进技术培训会、第三代半导体专业技术培训会、中日先进半导体交流会，以及国际半导体尖端技术和产品展示等等。

　　值得关注的是，半导体照明技术作为第三代半导体材料的第一个突破口，将带动相关材料在节能减排、信息技术和军事国防领域取得新的发展。SSLCHINA 2017将和2017国际第三代半导体论坛（IFWS2017）同期举行，更多精彩报告十分值得期待。

　　面对不断变化的国内国际形势，两场国际性盛会同台亮相，两大国际论坛资源叠加，还邀请了国内外重量级产学研用专家和企业家担任顾问委员会和分会程序委员会智库专家，将领衔180余位报告人，坐镇近30场专题技术及产业会议，同众多国内外产、学、研、用参会代表一道，高度聚焦热点先进技术，维度挖掘LED与第三代半导体发展新机遇，共商未来产业发展大计。

　　距离论坛召开的时间越来越近，最新的论坛进展消息，敬请持续关注中国半导体照明网。