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契合国家发展战略，超宽禁带半导体研究待突破

发布日期：2017-10-11 来源：中国半导体照明网作者：JACK浏览次数：487

　　以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。

　　对于超宽带隙半导体的研究契合国家发展战略，对于我国抢占第三代半导体技术制高点、掌握国际竞争主导权具有重要意义。尤其是以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料具有独特优点，是对第三代宽禁带半导体产业的完善和坚强补充。目前，我国在超宽带隙半导体材料和器件发展过程中可能会遇到各种问题和瓶颈需要深入研究。

　　2017年11月1日-3日，2017国际第三代半导体论坛（IFWS2017）将在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。作为半导体照明领域最具规模，参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。本届论坛（IFWS2017）将以全新形式和主题亮相北京，并与第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2017）同期举行。

　　2017国际第三代半导体论坛是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是全球性、高层次的综合性论坛。本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟和中关村科技园区顺义园管理委员会主办，得到科技部、发改委、工信部、北京政府等相关部门大力支持。论坛全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。

　　其中，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会作为论坛六大技术分会之一，邀请中科院微电子所教授、中国科学院院士刘明和厦门大学校长、南京大学教授张荣联合坐镇该技术分会并担任分会主席。分会将重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

　　该分会，除了两位重量级专家坐镇以外，还有强大的委员和特邀报告人参与。作为分会委员的西安交通大学王宏兴教授，在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件，大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长，碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件，MOCVD设计开发、特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。在Carbon、Applied Physics Letters、Scientific Reports、Applied Surface Science、Diam. Relat. Mater等期刊发表SCI论文70余篇，申请和获授权的中国、日本、美国、PCT专利100余项。

　　分会委员山东大学晶体材料国家重点实验室主任陶绪堂教授，现任山东大学教授、晶体材料研究所所长、晶体材料国家重点实验室主任。2002年度教育部长江学者特聘教授、2003年度国家杰出青年基金、2005年度教育部创新团队和2007年度国家自然科学基金委创新群体学术带头人。兼任中国硅酸盐学会理事，中国晶体学会理事, 中国硅酸盐学会晶体生长专业委员会委员，中国物理学会固体缺陷专业委员会副主任，第六届教育部科学技术委员会国防科技学部委员。

　　分会委员同济大学徐军教授，现任同济大学物理科学与工程学院、高等研究院教授、博士生导师。国家杰出青年基金和中科院“百人计划”获得者。作为项目负责人，先后主持国家级课题20余项，是国家“九五”、“十五”国家“863”新材料项目、中科院重大项目和国防重大专项的项目负责人。发表论文500余篇，申请发明专利数十项。主要从事激光与光学晶体研究，包括激光晶体、超宽禁带半导体晶体、晶体生长科学与技术等。

　　同时，还特邀报告嘉宾广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授冯哲川、电子科技大学教授刘兴钊及日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA等业界知名专家。其中，广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授冯哲川他从事于第三代半导体研发，碳化硅已33年和III族氮化物已21年，主要研究方向和领域着重于宽能隙半导体的多学科材料研究及奈米器件制程及研发，金属氧化物化学气相外延和其他技术长晶及研究，表面科学，同步辐射，多学科检测技术在光学/电子材料/结构的应用，计算机理论仿真宽能隙半导体及奈米结构之光学和材料特性。作为本次会议特邀报告人，冯哲川教授将重点介绍“Ga2O3复合体系薄膜的光学和结构特性”研究报告。

　　特邀报告人电子科技大学刘兴钊教授长期从事电子薄膜材料的生长及其应用研究，目前的主要研究方向有：压阻薄膜及集成传感器、介电/宽禁带半导体集成薄膜及场效应晶体管、压电薄膜及薄膜体声波谐振器，在Thin Solid Films、Physica C、Supercond. Sci. Techn.、Jpn. J. Appl. Phys.等杂志发表及合作发表论文60多篇，获国家发明二等奖、省部一等、二等奖各一项(排名第二)。会上，他将带来“蓝宝石衬底上制备高性能?-Ga2O3薄膜及日盲紫外光电探测器研究”最新进展。

　　目前，仍有部分重量报告人报告正在陆续提交中，届时会上将呈现超宽带半导体及其它新型宽禁带半导体材料与器件研究应用的最新进展。