迈向新高地 看第三代半导体与微波射频技术的发展

　　以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，市场应用潜力巨大。预计到2020年，第三代半导体技术应用将在节能减排、信息技术、国防三大领域催生上万亿元潜在市场，而碳化硅和氮化镓器件很可能成为推动整个电力电子、光电子和微波射频三大领域效率提升和技术升级的关键动力之一。第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大，这一特定领域的突破也标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。

 

　　2017年11月1-3日，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京市顺义区人民政府主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）将在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。并与SSL国际系列论坛在中国地区的年度盛会--第十四届中国国际半导体照明论坛同期同地举行。

 

　　大会围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括第三代半导体与固态紫外器件、碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。

 

　　其中，第三代半导体与微波射频技术分会主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面，邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。

 

　　中国电子科技集团公司第十三研究所副所长、研究员级高工蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千将共同担任分会主席。蔡树军主要研究领域为硅，砷化镓和氮化镓等新型材料器件和电路。张乃千于2007年回国创办能讯半导体并任总裁。能讯是中国首家第三代半导体氮化镓电子器件设计与制造商业企业，自主进行氮化镓外延生长、晶圆制造、内匹配与封装等。

 

　　同时分会委员团吸纳中科院微电子研究所副所长刘新宇、中兴通讯股份有限公司总工刘建利、西安电子科技大学教授张进成、荷兰安谱隆有限责任公司晶圆级可靠性专家陶国桥等众多行业优秀专家，为分会提供坚实的支持。

 

　　此外，内容丰富的报告也是看点，其中英国布里斯托大学教授兼设备热成像和可靠性中心主任Martin KUBALL将从国际视角分享其最新研究成果，Martin Kuball当下在英国领导的项目是关于开发超高功率金刚石基氮化镓射频（GaN-on-Diamond RF）电子设备。还有来自中国电子科技集团等国内外相关领域专家分享各自的研究成果，非常值得期待。

 

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