超宽带隙半导体的研究契合国家发展战略，对于我国抢占技术制高点、掌握国际竞争主导权具有重要意义，尤其是以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料具有独特优点，是对第三代宽禁带半导体产业的完善和坚强补充。
超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。
2017年11月1日-3日，第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，2017国际第三代半导体论坛（IFWS2017）将在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。并与第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2017）同期举行。本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟和中关村科技园区顺义园管理委员会主办，得到科技部、发改委、工信部、北京政府等相关部门大力支持。
作为全球性、高层次的综合性论坛。论坛全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
其中，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会作为论坛六大技术分会之一，将重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。分会着重研讨超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用等内容，旨在搭建产业、学术、资本的高质量交流平台，共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
分会邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现超宽带半导体及其它新型宽禁带半导体材料与器件研究应用的最新迚展。其中，中科院微电子所教授、中国科学院院士刘明和厦门大学校长，南京大学教授张荣将联合坐镇担任分会主席。
其中，刘明院士长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。代表性成果包括：建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理，为存储器产业发展提供关键理论和技术基础。她发表SCI收录论文250多篇，SCI他引（刘明或合作者均视为自引）超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。
同时，西安交通大学王宏兴，山东大学教授、晶体材料研究所所长、晶体材料国家重点实验室主任陶绪堂，国家杰出青年基金和中科院“百人计划”获得者、同济大学教授徐军将担任分会委员，共同为分会提供坚持的支持。其中，王宏兴教授在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件，大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长，碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件，MOCVD设计开发、特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。在Carbon、Applied Physics Letters、Scientific Reports、Applied Surface Science、Diam. Relat. Mater等期刊发表SCI论文70余篇，申请和获授权的中国、日本、美国、PCT专利100余项。目前研究领域包括宽禁带半导体高温、高效、大功率微波器件、电力电子器件、发光器件的研究；大面积、高质量宽禁带半导体衬底的研究；电子器件级高质量宽禁带半导体单晶薄膜及掺杂方法的研究；基于宽禁带半导体的传感器和成像探测器的研究；新型化学气相沉积（CVD）系统等关键设备的研制；金刚石MEMS结构与器件等。
徐军教授主要从事激光与光学晶体研究，包括激光晶体、超宽禁带半导体晶体、晶体生长科学与技术等。作为项目负责人，先后主持国家级课题20余项，是国家“九五”、“十五”国家“863”新材料项目、中科院重大项目和国防重大专项的项目负责人。发表论文500余篇，申请发明专利数十项。出版了《激光材料科学与技术前沿》《掺镱激光晶体材料》等6部著作，并先后获得2003年国家科技进步二等奖、2001年和2004年上海市科技进步一等奖等多个奖项。
同时，广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授冯哲川、电子科技大学教授刘兴钊及日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA等业界知名专家将做特邀报告，分享各自领域的最新研究进展。其中，冯哲川教授从事于第三代半导体研发，碳化硅已33年和III族氮化物已21年，主要研究方向和领域着重于宽能隙半导体的多学科材料研究及奈米器件制程及研发，金属氧化物化学气相外延和其他技术长晶及研究，表面科学，同步辐射，多学科检测技术在光学/电子材料/结构的应用，计算机理论仿真宽能隙半导体及奈米结构之光学和材料特性。
此外，还有来自电子科技大学等众多国内外高校、科研机构的嘉宾将带来更多的精彩纷呈的报告。
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