碳化硅材料与器件研究又出新进展

　　第三代半导体材料主要包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带Ⅳ族化合物以及宽禁带氧化物，具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，正在成为全球半导体产业新的战略高地。

 

　　为助力中国第三代半导体行业发展提质增效，更好地整合国内外第三代半导体行业的优势资源，实现中国半导体行业迅速崛起。在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）将于2017年11月1-3日与第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）同期在北京首都机场希尔顿酒店召开。

 

　　其中， “碳化硅材料与器件分会” 作为论坛的重要组成部分，特邀请浙江大学教授、博士生导师盛况将领衔担任分会程序委员会主席。山东大学教授徐现刚，中科院物理所教授陈小龙，西安电子科技大学微电子学院教授、院长张玉明，西安交通大学教授张安平，大连理工大学教授王德君，中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员柏松担任程序委员会委员。其中，分会委员山东大学教授徐现刚将分享“SiC单晶生长技术的现状与展望”深度报告，将带来最新的技术进展和前景趋势分析。中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员柏松还将带来“1.2kV 4H-SiC DMOSFET器件的设计和制造”专题报告。

 

　　除此之外美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授将带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告；荷兰代尔夫特理工大学教授、IEEE电力电子协会主席Braham FERREIRA，德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER，国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏，日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong，超凡数据与咨询事业部检索业务高级总监马志勇等专家及知名企业负责人，将分享各自专场研究进展报告。

 

　　分会将涵盖SiC衬底、同质外延和电力电子器件技术，充分展示碳化硅材料及电力电子器件技术的最新进展。国内外专家报告汇聚该分会，报告内容及质量让人十分期待。

 

　　碳化硅材料与器件分会会议日程

　（注：最终会议日程以现场为准）