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发掘半导体固态紫外器件技术新应用

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-10-23 来源:中国半导体照明网作者:JACK浏览次数:440
  半导体照明是第三代半导体技术所实现的第一个突破口,尤其在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势,展现出巨大的应用潜力。有数据显示,紫外线LED应用于光固化市场产值2021年将达1.95亿美元, 2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50~60%。紫外LED杀菌与净化应用的市场产值2021年将达2.57亿美元。
 
  如今LED发光技术的进步现已突破传统的照明概念,并已开拓、发展LED发光新技术领域。沿长波方向,已从蓝光拓宽到绿光、黄光、红光,发展“超越照明”,开拓在生物、农业、医疗、保健、航空、航天和通信等领域应用;沿短波方向,现已发展高效节能、环境友好、智能化的“紫光光源”,期望逐步取代电真空紫外光源,引领紫外技术的变革,开拓紫光应用广阔领域。
 
  为了更好的支撑国家战略,促进我国半导体照明及第三代半导体技术及产业的健康发展。今年11月1日至3日,第十四届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2017)将与国际第三代半导体论坛(IFWS2017)以全新形式和主题同期在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。
 
  本次论坛由北京市顺义区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)和国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心、北京麦肯桥生产力促进中心有限公司承办,得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。本届两大国际半导体论坛资源叠加,在为期三天的时间内,三十余场次会议,近两百位国内外专家学者及企业家代表将做主题报告。
 
  “第三代半导体固态紫外器件技术”分会将重点兲注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的兲键制备技术。
 
  其中,北京大学理学部副主任、教授沈波与中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵共同担任分会程序委员会主席。台湾交通大学特聘教授郭浩中,南京大学教授陆海,易美芯光(北京)科技有限公司执行副总裁兼首席技术官刘国旭等专家担任分会程序委员会委员。
 
  除了分会程序委员会到场指导会议以外,届时日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA ,北京大学副教授 许福军,日本三重大学教授三宅秀人, 中科院半导体研究所研究员张韵, 华中科技大学教授陈长清,沙特国王科技大学助理教授李晓航, 南京电子器件所工程师罗伟科, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜等知名专家学者将分享最新研究报告。
 
  分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术,包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。最新日程如下:

注:最终会议日程与现场实际为准

 

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会议网站:
SSLCHINA详情链接:http://www.sslchina.org/
IFWS详情链接:http://ifws.sslchina.org/

参会报名请联系:
张 女士
010-82387380
13681329411
zhangww@china-led.net

贾 先生
010-82387430
18310277858
jiaxl@china-led.net 

许 先生
010-82387600 Ext 505
13466648667
xujh@china-led.net
 
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