在2日下午，由东旭光电科技股份有限公司、湖州明朔光电科技有限公司协办的SSLCHINA: P207-新型显示与照明技术分会现场火爆，重量级前沿报告应接不暇。其中来自，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所刘建平研究员分享了主题为“镓氮基蓝光与绿光激光二极管的发展”新进报告。
为了满足激光显示应用的需求，GaN基蓝绿色激光二极管（LD）的研究在过去几年中引起了人们的高度关注。刘建平研究员在报告中指出，我们提高了发光均匀性，并降低了在c面无支撑GaN衬底上生长的GaN基蓝色LD结构的内部损耗。GaN衬底的切割取向和角度对外延GaN层的形貌有极大影响。
但在GaN衬底上，以0.42 o向m-面的切角，得到的GaN外延层呈现出连续原子平台和统一平台宽度的完美形貌。在m面切角为0.4°的GaN衬底上，InGaN量子阱（QW）和GaN量子势垒（QB）在同温度生长的同质外延LD结构具有最窄的发射线宽且非常均匀的发光。通过优化Mg掺杂分布和浓度，大大降低了内部损耗。
因此，在室温连续波动下，我们已经实现了光输出功率2.2W的GaN基蓝光激光二极管。通过观察绿色InGaN / GaN 量子阱的形貌演化并研究其光学性能，我们研究了在绿InGaN / GaN 量子阱界面形成的铟离子相关缺陷，以及去除缺陷的方法和机理。通过设计绿色InGaN / GaN QWs的界面，我们实现了在低电流密度为1.85 kA cm -2的绿色LD结构。绿色LD的输出功率在室温连续波动时为100 mW。
