2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，SSLCHINA 2017之材料与装备技术分会如期举行。中微半导体设备（上海）有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、德国爱思强股份有限公司、维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司为本次分会提供了协办支持。
美国密歇根大学教授Pei-Cheng KU，挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，北京大学教授陈志忠、南昌大学教授刘军林、中微(上海)有限公司首席技术员胡建正、北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀BU副总经理刘利坚，德国爱思强股份有限公司高级产品经理Michael HEUKEN、美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜，河北工业大学教授毕文刚共同主持了本次分会。
图形化蓝宝石衬底(PSS)已经被广泛用于提高LED的晶体质量以及出光效率。许多研究者报道了当图形尺寸减少到纳米尺度，LED出光效率将进一步提升。但是，纳米PSS（NPSS）是否可以有效提高晶体质量还有不同的看法。会上，北京大学教授陈志忠介绍了基于纳米图案蓝宝石衬底通过MOCVD生长蓝绿色LED。
陈志忠表示，GaN基青光LED通过低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长得到。首先在成核层上进行两步法高温生长GaN模板，接着在模板上生长青光LED，波长为490nm。通过测量发现，NPSS上生长的青光LED的光致发光（PL）、电致发光（EL）强度比平面蓝宝石上的分别高3倍和61%。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
