2017年11月1-3日，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京顺义区人民政府主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。
大会围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括第三代半导体与固态紫外器件、碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
期间，中国电子科技集团第十三研究所、专用集成电路重点实验室协办的“第三代半导体与微波射频技术“分会如期顺利召开。分会主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面，邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
英国布里斯托大学教授Martin KUBALL、中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红、南京电子器件研究所高级工程师吴少兵、西安电子科技大学副教授郑雪峰、中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利、荷兰Ampleon公司WLR可靠性专家陶国桥等国内外相关领域专家分享各自的研究成果。中国电子科技集团公司第十三研究所副所长、研究员级高工蔡树军，苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持本次分会。
英国布里斯托大学教授兼设备热成像和可靠性中心主任Martin KUBALL做了极限GaN射频FETs - GaN-on-Diamond技术的报告，从国际视角分享了其最新研究成果。
中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红做了题为InAlN/GaN HFETs的可靠性评估和高频特性研究的报告。结合相关的测试、案例，介绍了解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题的方法。
冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所研究员分享了InAlN/GaN HFETs的可靠性评估和高频特性研究，介绍了不同结构的作用和影响等内容。
西安电子科技大学副教授郑雪峰介绍了新型AlGaN/GaN HEMT Fin结构的研究报告。
毫米波固态功率放大器是现代化军事装备的重要组成部分，其在W波段需要的发射端输出功率达数瓦或更高。南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了题为W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器工艺。结果显示，AlGaN/GaN HEMT在W波段领域，首次实现了单片输出功率和功率密度指标同时达到3W及3W/mm以上。
5G时代来了，移动通信领域一大波改变即将发生，材料技术的发展也备受关注。中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利分享了氮化镓在5G方面的应用，介绍了当前5G系统的概况，氮化镓器件在5G领域应用的电路形式等内容。
可靠性至关重要，荷兰Ampleon公司WLR可靠性专家陶国桥做了开发GaN技术晶圆级可靠性的精彩报告，分享了在可靠性方面的研究成果及部分实例。相对于产品的可靠性， 晶圆级可靠性更注重芯片工艺技术有关的部分。 针对不同的失效机理，设计不同的快速有效的诊断和测试结构，并为加速测试建立模型。WLR 为加速技术开发，和大批量生产中的工艺质量控制会起到非常积极的作用。
