超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。
超宽带隙半导体的研究契合国家发展战略，对于我国抢占技术制高点、掌握国际竞争主导权具有重要意义，尤其是以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料具有独特优点，是对第三代宽禁带半导体产业的完善和坚强补充。
2017年11月1日-3日，第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，2017国际第三代半导体论坛（IFWS2017）在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。并与第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2017）同期举行。本届会议由北京市顺义区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，得到科技部、发改委、工信部、北京政府等相关部门大力支持。
作为全球性、高层次的综合性论坛。论坛设置了“碳化硅材料与器件”、“氮化镓功率电子器件”等六大专题技术分会。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
其中，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会作为论坛六大技术分会之一，重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA、广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川， 西安交通大学教授王宏兴，中国科学院微电子研究所研究员龙世兵，山东大学教授陶绪堂，郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新，河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶，山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮等来自国内外的重量级嘉宾出席并带来了精彩报告。中科院微电子所教授，中国科学院院士刘明与厦门大学校长、南京大学教授张荣共同主持了本届分会。
日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。
广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川带来了Ga2O3薄膜的光学和结构特性的报告，并重点介绍了两种技术测量。
西安交通大学教授王宏兴做了关于微机电系统单晶金刚石微结构制备的报告。
中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) β-Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。
山东大学教授陶绪堂做了晶体生长和β-Ga2O3表征的最新进展的报告，分享了在氧化镓晶体生长方面的研究实践及成果。
郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新做了高质量金刚石的CVD生长的报告。
河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶分享了金刚石场效应晶体管的射频功率性能评价，并介绍了利用金刚石材料制作射频器件方面的工作及成果。
山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮做了高温高压单晶实验室生长金刚石技术的介绍，分享了单晶金刚石生产技术方面的工作及成果。
