南京电子器件研究所高级工程师吴少兵：W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器

　　毫米波固态功率放大器是现代化军事装备的重要组成部分，其在W波段需要的发射端输出功率达数瓦或更高。

 

　　2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之第三代半导体与微波射频技术分会如期举行。分会由中国电子科技集团第十三研究所和专用集成电路重点实验室协办，主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面，邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。

 

　　英国布里斯托大学教授Martin KUBALL、中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红、南京电子器件研究所高级工程师吴少兵、中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利、荷兰Ampleon公司WLR可靠性专家陶国桥等国内外相关领域专家分享各自的研究成果。中国电子科技集团公司第十三研究所副所长、研究员级高工蔡树军，苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持本次分会。

 

　　会上，南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。

 

　　吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um GaN工艺的W波段功率放大器，基于70nm InP工艺的W波段低噪声放大器及50nm G波段InP及GaN器件等，工艺水平及器件性能指标达到W波段领域的国际先进水平。