2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，IFWS 2017之第三代半导体与微波射频技术分会如期举行。分会由中国电子科技集团第十三研究所和专用集成电路重点实验室协办，主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面，邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
英国布里斯托大学教授Martin KUBALL、中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红、南京电子器件研究所高级工程师吴少兵、西安电子科技大学副教授郑雪峰、中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利、荷兰Ampleon公司WLR可靠性专家陶国桥等国内外相关领域专家分享各自的研究成果。中国电子科技集团公司第十三研究所副所长、研究员级高工蔡树军，苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持本次分会。
科技的进步不停歇，5G技术正悄然来临中国将成为率先使用5G的国家。目前国内外运营商及设备商均加紧布局5G产业，机构预计未来5G市场规模将超过千亿美元级别。近期5G行业催化不断，随着业内巨头更多现网用例的不断实现及相关政策的扶持，5G商用进程有望加速落地，产业链公司将持续受益。
会上，中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利 做了5G 用GaN功率放大器的精彩报告。分享了5G标准发展的过程，5G时代的技术需求以及变化，同时结合中兴的实践分享了需要发展的核心技术。其中，刘建利指出，从3G、2G、5G主要解决的问题就是容量，城市里面随着使用手机终端用户的增多，随着语音业务，数据业务，比如说视频业务的发展，容量一直是一个最大的挑战，5G也是。
此外，5G的基站架构最大的特点改变MAX，就是阵列前线。也提出了高集成度的挑战。他还同时表示，5G用氮化镓区别于其他应用的有两点，一是线性的，二是可靠性，这两点要特别注意。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
