2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月3日上午IFWS 2017之第三代半导体固态紫外器件技术分会如期举行。分会由中国电子科技集团第十三研究所和专用集成电路重点实验室协办，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。面向全球广泛征集优秀研究成果，并将邀请多名国际知名与家参加本次会议，力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。
日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大学教授三宅秀人、北京大学副教授许福军、中科院半导体研究所研究员张韵、华中科技大学教授陈长清、南京电子器件所工程师LUO Weike、中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波和南京大学教授陆海共同主持了本届分会。
中科院半导体研究所研究员张韵
会上，中科院半导体研究所研究员张韵分享了纳米图案AlN/蓝宝石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取技术。深紫外LED的光提取增强、深紫外发光二极管溅射AlN模板、AlGaN／AlN激光纳米图案化的AlN模板。
张韵曾在美国高平（Kopin）半导体公司III-V部门从事研发工作。具备多年GaN、GaAs基器件的设计、制造工艺及器件物理分析经验。参与完成与美国国防部先进研究项目局（DARPA）在深紫外光电探测器领域的项目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可见光波段激光器领域的项目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光电子器件领域取得了丰硕成果的同时，在GaN基大功率电子器件方面也有丰富的经验和世界领先的成果。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
