11月2日下午，由华灿光电、科锐光电、欧司朗、旭宇光电、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光电、北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室共同协办支持的“芯片、封装与模组技术分会，在易美芯光（北京）科技有限公司执行副总裁/CTO刘国旭主持下召开。
会上，来自美国智能照明工程技术研究中心主任、美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固体照明、显示器和物联网集成主题报告；他表示，随着光电子（LED和激光二极管）和物联网结合起来改造照明和显示行业，不断创新和不断创新的潮流正在继续在这两个市场上开辟新的服务和能力。他回顾了高效LED芯片和封装的发展，新的固定装置的开发，以及与新的传感平台、新的照明和显示功能的集成无线通信，以及未来照明和显示系统的集成。
Micro LED的火热已经让业界大公司躁动起来。台湾新创公司錼创Micro LED初期做到现在已经有小样了，而且是透明的Micro LED。前期听说三星谣传已经开始在跟他们谈合作，这也是为什么今天来看看大家他有这样的一个结果，这个谣传也许是真的。
台湾新创公司錼创（Play Nitride）创始人李允立在做“微LED显示应用的技术挑战”报告时表示，真正的主流来临之前有一个新的可能性，有机会我们做一个透明显示器，这个应用也有很多人说早期做过，显示器不是很适合，如果我们可以提供一个透明显示器，各位不知道可以从小孔中看到我，我可以清楚的看到每个人，应该是可以看得到这个显示器，左边和右边有做和没有做，它的透明度非常高，我们认为这其实有机会发展出更多新的应用。
承接在传统液晶(LCD)、OLED后,Micro LED被视为可能颠覆产业的新一代显示技术。来自南方科技大学副教授刘召军会上介绍了，多色Micro LED的传质技术报告。他认为，今天介绍了MicroLED一个研发的情况介绍，也给大家提供了一个转移的技术，也实现了全彩色的技术，今天只是抛砖引玉，我们大家需要一起努力，然后把这个问题克服，有困难要克服，困难在哪里？MicroLED待解决的关键科学技术问题，不管是从材料角度还是从器件角度，还是从加工的角度有很多事情需要做，这个是需要大家所有的朋友们一起努力，我们来把这些问题克服。
对话
科锐作为全球大功率的整个国际上的领先者，会上来自科锐中国市场推广部总监林铁先生分享了“大功率LED和COB器件技术发展”报告。他表示，大功率LED和COB器件在高端照明市场具备竞争优势。随着国家相关政策和产业发展趋势，大功率LED器件技术也在不断变革、细化、发展。器件的光效 、光输出、光学均匀性、性能都在不断提升。超大功率LED器件带来更高流明输出和光效。
科锐在LED器件领域又有重大突破，推出革新性的NX技术平台。该平台将为新一代照明级LED的创新发展，提供强有力的技术支撑。新型NX技术平台体现了诸多器件与技术方面的先进性，包括新型Dmax LED芯片、效率更高的荧光粉系统、新型封装设计和更为简化的生产工艺。商业照明灯具正在朝着小型化的趋势发展。照明设计师对空间整体美感的要求越来越高。体积大的灯具在空间中显得突兀，影响空间整体美感，已不再能够满足设计师们和业主们追求美感的需求。COB器件技术不断变革、细化、发展，高密度级COB器件能为客户提供优异性能，实现灯具小型化，提高空间整体美感。
林总表示，我们不只是带来参数的提升，更是技术价值的体现。后续我们也会根据客户不断变化的要求，继续完善提升我们的产品性能。
中科院半导体研究所研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”报告。她主要介绍了纳米线和可控制备以及在器件应用当中的初步探索。首先会给大家分享从芯片发展技术上的主要趋势，纳米线器件到底在这个技术上作用，和在纳米线生长方面的几个工作以及它的光学的特征，实现了氮化镓平面的可控生长。
乾照光电目前是国内比较领先的红光制造商，来自乾照光电股份有限公司技术副总监陈凯轩“蓝宝石衬底AlGaInP红光LED外延和芯片制作工艺”报告。他介绍说，乾照光电的红光产品主要是在扬州工厂生产制造，目前的月产能折合成两寸片每月是18万片，现在扬州工厂也在积极的扩产。预计在2019年这个产能可以到40万片，红光芯片种类也是非常多，波长范围涵盖了从565纳米的红绿光一直到940纳米。现在厦门工厂这边主要是做氮化镓芯片，目前的产能当然还比较小，每个月折算成两寸片只有40万片，在南昌也新设立了分公司南昌乾照，也正在积极的扩产当中，预计2018年每月是100万片，2019年大概是每月160万片。氮化镓芯片的种类目前也是比较全的，用来做照明的0.2瓦、0.1瓦小功率的芯片，不同的尺寸都有相应的产品系列，包括用来做显示屏的蓝光、绿光的芯片，从比较小的0406，也可以归为MiniLED了，背光、高压芯片都有开流出来，MicroLED我们也有做相应的开发ph大概是30微米，我们还是需要继续努力的。
中南大学教授汪炼成“采用湿法刻蚀GaN微金字塔结构Q值超过6000的光泵激光”报告。报告中介绍了一种新型的基于全湿法化学腐蚀获得的高品质因子的垂直结构金字塔GaN光学微腔。在紫外常温光泵下观察到多模式激射，如在367.2 nm波长的模式激射，具有低的阈值 （(0.4-0.5MW/cm2）和窄线宽（0.054 nm）和高品质因子（超过6000）。此高性能的光学GaN微腔主要受益于其独特的微米金字塔制备方式。相比已经报道过GaN微腔，此新型金字塔微腔具有以下特点：1.传统GaN微腔制造一般通过干法蚀刻得到，有损材料的晶体质量。此金字塔微腔完全为湿法化学蚀刻得到，能在一定程度上“过滤”材料位错和缺陷，从而提高其晶体质量；2.由湿法蚀刻得到的金字塔微腔具有光滑晶面，和底部的Ag基反射镜能共同形成良好的光学限制，而无需传统GaN微腔制备的复杂底切蚀刻工艺。（根据现场速记整理，如有出入敬请谅解！）
