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日本大阪大学菅沼克昭教授:宽禁带功率器件银烧结连接的新进展

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-11-06 来源:中国半导体照明网浏览次数:832
   2017年11月1日-3日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办的2017 国际第三代半导体论坛在北京顺义隆重召开。在2日上午,举行“SiC/GaN电力电子封装、模块及可靠性”分会上,来自日本大阪大学菅沼克昭教授分享了“宽禁带功率器件银烧结连接的新进展”。
日本大阪大学教授
  他表示,我们拥有一项非常特殊的工艺称之为DBA结构,在这个方面有20年的数据,但是这个数据目前还是有效的,当时最高的温度能够达到125度,现在可以达到250度,20年之前DBA最高的温度是150度,不可能超过150度。宽带系的产品有很多的好处,比如它们比较节能,大小也是比较合适,市场增长也比较好。
 
  他举例说,现在日本会发现有很多展示,比如在火车当中会使用碳化硅的模块。在电力行业方面有很好的技术,日本最大的一个循环铁路,它是非常好的一个供电系统,会提供非常好的供电系统和设备,使用碳化硅的模块,这个模块非常小,跟一支笔比较的话,碳化硅的体积非常小,性能是非常不错的,展示的结果我们非常满意。我们用的这个技术不是烧结,是用的其他技术,但是碳化硅对这种产品来说是非常适合的,现在市场已经开放,所有这些产品都能够在更高的温度环境下进行运作,所以这也是一些新的进展。
现场
  通过银的纳米颗粒物我们可以增强这种材料的连接能力,以及它的张力,所以银是非常好的材料,只有银的纳米材料才能呈现这样的结构,所以银在我们制造烧结连接器件的时候发挥了非常重要的作用。
 
  他表示,银的烧结连接件,现在它是一个非常简单的过程。我们可以在低温情况下,没有压力的情况下,接触空气的情况下,制造银的烧结连接件,而且它具有非常高的可靠性和性能,而且成本也可以做到非常低。(根据现场速记整理,如有出入敬请谅解!)
 
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