2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，IFWS 2017之第三代半导体与微波射频技术分会如期举行。分会由中国电子科技集团第十三研究所和专用集成电路重点实验室协办，主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面，邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
英国布里斯托大学教授Martin KUBALL、中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红、南京电子器件研究所高级工程师吴少兵、中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利、荷兰Ampleon公司WLR可靠性专家陶国桥等国内外相关领域专家分享各自的研究成果。中国电子科技集团公司第十三研究所副所长、研究员级高工蔡树军，苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持本次分会。
会上，英国布里斯托大学教授Martin KUBALL做了关于极限GaN射频FETs - GaN-on-Diamond技术的报告，具体介绍了该技术的研究背景，并结合相关数据，介绍了该技术的研究成果，及未来的一些应用领域。
其中，Martin KUBALL表示氮化镓的发展势头很强劲，当前，通讯、雷达等应用依旧是建立在碳化硅衬底氮化镓基础上的，随着数据化的发展，需要的能量越来越多，而碳化硅上的氮化镓也会有局限，开发金刚石衬底是一个不错的尝试。Martin KUBALL详细分享了当前开发GaN-on-Diamond的技术进展，包括稳定性、可靠性，以及以金刚石衬底的优势和挑战。他表示，虽然目前尚没有商用，但从一定角度来说，金刚石衬底氮化镓不应该比碳化硅基氮化镓更贵。此外，可以有不同材料的集成，比如氮化镓是很好的射频材料，可以与其他材料进行结合，目前其团队已经在做相关的测试。
