2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，IFWS 2017之第三代半导体与微波射频技术分会如期举行。分会由中国电子科技集团第十三研究所和专用集成电路重点实验室协办，主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面，邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
英国布里斯托大学教授Martin KUBALL、中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红、西安电子科技大学副教授郑雪峰、南京电子器件研究所高级工程师吴少兵、中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利、荷兰Ampleon公司WLR可靠性专家陶国桥等国内外相关领域专家分享各自的研究成果。中国电子科技集团公司第十三研究所副所长、研究员级高工蔡树军，苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持本次分会。
中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。
其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低频率并不是一个很好的方式。寻求新的技术和结构，超薄的屏障层，较低的层级电阻，较高的击穿是非常重要的。此外，冯志红还介绍了两种结构对于AIN的挑战，以及关于可靠性的研究成果。
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