2017年11月1-3日，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京顺义区人民政府主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。
大会围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括第三代半导体与固态紫外器件、碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
11月3日上午， IFWS 2017之第三代半导体固态紫外器件技术分会如期召开。中国电子科技集团第十三研究所、专用集成电路重点实验室为本次分会提供了协办支持。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。
日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大学教授三宅秀人、北京大学副教授许福军、中科院半导体研究所研究员张韵、华中科技大学教授陈长清、南京电子器件所工程师LUO Weike、中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波和南京大学教授陆海共同主持了本届分会。
日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA
会上，日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA介绍了高效率AlGaN深紫外LED的研究进展。紫外LED有非常大的市场需求，在除菌、消毒、3D打印等领域有很大的市场潜力。其中，UVCLED的效率是由相应的一些因素所造成，Hideki HIRAYAMA结合具体的研究过程，重点介绍了关于UVCLED效率提升技术。此外，他分享了通过光晶体反射进一步提升光提取效率的研究成果，通过比较，光晶体事实上反射率的表现是非常卓越的，如果在使用光晶体的同时，也加入高反射电极的话，那LED的表现就会进一步的得到改善。最理想的状况当中，反射率可以超过90%。Hideki HIRAYAMA表示，高反射度的光晶体目前也被确定成为是可以进一步提高光提取效率的一种器件，未来发展当中， UVC达到40%是目标，其中可以利用镜片高反射度的光晶体等。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
