北京大学副教授许福军：纳米图案蓝宝石基板生长高质量的AlN和AlGaN量子阱

　　2017年11月1-3日，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京顺义区人民政府主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。

 

　　大会围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括第三代半导体与固态紫外器件、碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。

 

　　11月3日上午，IFWS 2017之第三代半导体固态紫外器件技术分会如期召开。中国电子科技集团第十三研究所、专用集成电路重点实验室为本次分会提供了协办支持。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。

　　北京大学副教授许福军做了关于纳米图案蓝宝石基板生长高质量的AlN和AlGaN量子阱的报告。结合具体的实验方案和细节，分享了氮化铝和量子阱的生长情况以及相关的研究成果。

 

　　其中，许福军表示，总结对比国际上关于氮化铝外延采用的一些主要方法，包括脉冲法等，会发现图形衬底方法，在氮化铝晶体量控制的稳定性、可重复性方面非常有优势。早期尝试在微米图形基础上做氮化铝的控制，会存在几方面的问题，比如周期比较长，会导致聚合的厚度比较厚，这对氮化铝的生长会是个严重的挑战等。此外许福军分析了纳米控制氮化铝的缺陷主要物理过程的解决方案等内容。