会议现场
2日下午，由华灿光电、科锐光电、欧司朗、旭宇光电、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光电、北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室共同协办支持的“芯片、封装与模组技术分会上，来自南昌大学的李树强教授分享了“AlGaInP红光LED光效提升方法及近期进展”研究报告。
李树强教授是南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心学科方向带头人，兼任南昌黄绿照明有限公司总工程师，国家科技部重大专项之“高光效红光LED材料与芯片制造技术”（2016-2020）课题负责人。承担国家级、省级课题项目10余项，研究成果发表学术论文15篇，申请发明专利20项，获省市技术奖10余项。
他表示，LED已实现了全可见光谱范围的光发射，在紫、蓝、绿、黄谱段使用AlInGaN材料制备，在橙、红谱段以AlGaInP材料性能最佳。
AlGaInP LED发光波长可覆盖570nm到780nm范围，广泛用于显示屏、交通信号灯、汽车尾灯、城市亮化、舞台灯光、多色混光高品质白光照明、植物生长、医疗等领域。
会议现场
常规结构AlGaInP LED芯片是利用GaAs衬底生长AlGaInP外延材料，然后在顶面做P电极、底面做N电极制备LED芯片。该技术方案由于存在GaAs衬底吸收和全反射损耗等原因，即使采用DBR反射结构，其功率转换效率不到10%。
LED功率转换效率由内量子效率、输出效率和阻性损耗决定，其中内量子效率主要取决于有源区的载流子限制能力和材料生长质量，输出效率提升主要是减少出光路径经过的材料光吸收和抑制全反射损耗。将GaAs衬底剥离制备薄膜芯片是目前高功率转换效率红光LED的主要技术路线。
报告中，他系统论述了提高AlGaInP红光LED内量子效率和薄膜红光芯片输出效率的关键点及方法，并利用变温电致发光测试系统对目前商业化AlGaInP红光LED的内量子效率和输出效率指标进行了比较测试，为业界同行在AlGaInP红光LED指标提升工作提供参考。（根据现场速记整理，如有出入敬请谅解！）
