日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA：用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长

　  2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。

 

　  11月2日下午，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会如期举行。分会重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

 

　   日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA、广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川， 西安交通大学教授王宏兴，中国科学院微电子研究所研究员龙世兵，山东大学教授陶绪堂，郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新，河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶，山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮等来自国内外的重量级嘉宾出席并带来了精彩报告。中科院微电子所教授，中国科学院院士刘明与厦门大学校长、南京大学教授张荣共同主持了本届分会。

 

　　会上， 日本Novel Crystal Technology公司总裁带来了关于Akito KURAMATA用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的精彩报告。Novel Crystal Technology公司主要对氧化镓相关产品进行商业化，并且进行衬底层以及外延晶圆等方面的研发工作。Akito KURAMATA分享了目前氧化镓在电力器件领域发展中的现状、晶体生长以及气相外延生长方式的研究进展及研究成果。其中，对比了几种氧化镓晶体生长方式之后，Akito KURAMATA重点介绍了EFG的生长方式。