2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会如期举行。分会重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA，广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川， 西安交通大学教授王宏兴，中国科学院微电子研究所研究员龙世兵，山东大学教授陶绪堂，郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新，河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶，山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮等来自国内外的重量级嘉宾出席并带来了精彩报告。中科院微电子所教授，中国科学院院士刘明与厦门大学校长、南京大学教授张荣共同主持了本届分会。
会上，广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，发表过650多篇学术论文(超过250篇SCI收录)引用超3500次。
报告中，冯哲川集中介绍了XPS、GIS两种技术测量，并且通过不同的样板展示了氧化镓在蓝宝石基底之上进行生长的情况，以及氧化镓在砷化镓基底上生长的情况，将不同生长情况进行比较，同时使用厚度剂，以不同的测角和不同的气温来获得相关数值，来观察氧化镓在蓝宝石基底上进行生长的过程和温度之间的相关关系。冯哲川表示，在这个过程当中掺杂使用铝或者是锌这两种方式，这跟它们不同的数值也是有一定的关系的。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
