2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会如期举行。分会重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA，广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川， 西安交通大学教授王宏兴，中国科学院微电子研究所研究员龙世兵，山东大学教授陶绪堂，郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新，河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶，山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮等来自国内外的重量级嘉宾出席并带来了精彩报告。中科院微电子所教授，中国科学院院士刘明与厦门大学校长、南京大学教授张荣共同主持了本届分会。
会上， 西安交通大学教授王宏兴分享了微机电系统单晶金刚石微结构的制备方法。金刚石半导体有大量的工业应用前景，通常在生长金刚石晶体的时候，必须要使用金刚石基底，这与其他半导体材料略有些区别。王宏兴分享了掺杂工艺和器件开发以及外延技术的话题，以及使用单晶的金刚石基底，进行金刚石生长制造等话题。他同时表示，目前其团队已开发出非常理想的微型晶片，也开发除了双侧微型晶片，已经体现出比较好的，比较理想的晶片列阵的方式，性能也比较优越。
资料显示，王宏兴曾承担和主持包括国家基金委重大仪器专项、科技部“863计划”、“十三五”重点研发、国家自然科学基金、陕西省统筹等7项项目，相关研究已初步实现小规模产业化。在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件，大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长，碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件，MOCVD设计开发、特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。
他目前现在的研究领域包括宽禁带半导体高温、高效、大功率微波器件、电力电子器件、发光器件的研究；大面积、高质量宽禁带半导体衬底的研究；电子器件级高质量宽禁带半导体单晶薄膜及掺杂方法的研究；基于宽禁带半导体的传感器和成像探测器的研究；新型化学气相沉积（CVD）系统等关键设备的研制；金刚石MEMS结构与器件；金刚石NV量子相干调控.
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
