2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会如期举行。分会重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA，广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川， 西安交通大学教授王宏兴，中国科学院微电子研究所研究员龙世兵，山东大学教授陶绪堂，郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新，河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶，山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮等来自国内外的重量级嘉宾出席并带来了精彩报告。中科院微电子所教授，中国科学院院士刘明与厦门大学校长、南京大学教授张荣共同主持了本届分会。
会上， 山东大学教授陶绪堂介绍了晶体生长和β-Ga2O3表征的最新进展，分享了关于氧化镓、以及氧化镓晶体生长等方面的研究工作。氧化镓的结构是多形的，β型的氧化镓是最稳定的，属于单晶体。结合国内外的研究状况，陶绪堂分享了当前氧化镓的研究进展以及氧化镓晶体生长方法等内容。分析了多种方法后，他表示关于氧化镓晶体的生长已经有几十年的时间了，方法也有很多，比如提拉法、导模法等。从晶体质量、大小，以及导电性的控制来看，导模法是最好的。对于未来，他同时表示，氧化镓在产业化的应用没有很大的问题。目前存在着热导力稍微低一点，以及如何掺杂的问题。不过很多时候我们可以做到单极的器件，也不一定非要做双极的器件，所以三极管的高压硬度有它的用处。导模法非常有优势，随着晶体生长技术的发展，器件加工的发展非常重要，氧化镓器件发展很快，也需要大家共同的努力。
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