2017年11月1日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办的第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛开幕大会在北京顺义隆重召开。
会期两天半，同期二十余场次会议。2日上午，由中国电子科技集团第十三研究所和专用集成电路重点实验室共同协办的“氮化镓功率电子器件”技术分会上，来自加拿大多伦多大学的教授Wai Tung NG分享了“GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路”报告。
Wai Tung NG教授表示，氮化镓的HEMTS非常重要，对于坍塌电压方面会有非常大的韧性，而且在这里他们有一个比较好的限度。因为是硅，所以这里面很多的数据已经达到了这些硅的上限，比如说这个里面提到了HBT的上限，大家可以看到氮化镓和砷化镓没有达到极限，很多可以进一步的改善。如果把这些宽带系的材料进行使用的话，韧性比较强、电阻也会比较强，这是就是他们的卖点。
紧接着，他介绍了GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路的基本驱动方面的方法，探讨了不同的氮化镓功率器件，现在商用的驱动器以及他们的局限性，回顾了典型的氮化镓驱动器IC的设计等等。（根据现场速记整理，如有出入敬请谅解！）
