随着LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片数越来越多，从而降低单颗芯片的成本，另一方面单芯片功率越做越大，如现在是3W，将来会往5W、10W发展。这对有功率要求的照明应用可以减少芯片使用数，降低应用系统的成本。倒装法、高电压、硅基氮化镓仍将是半导体照明芯片的发展方向。
2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
2日下午，由华灿光电、科锐光电、欧司朗、旭宇光电、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光电、北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室共同协办支持的“芯片、封装与模组技术分会上，来自中科院半导体研究所的研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”主题报告。
她表示，目前从芯片发展趋势技术上来看，一个是性能的提升，可以用纳米线的新的结构形式去考虑，从器件的结构上怎么样提高性能。第二个芯片发展到这个阶段，将来的天花板是显示屏等等，我们面临非常广泛的应用空间，从应用的角度可以提出来对芯片的要求，我们可以根据应用设计出来全新结构的芯片结构形式，现在提的比较多的农业、可穿戴、定位和通讯、显示，论坛上MicroLED显示还是大家非常关注的，还有智能光源、智慧城市跟光电的集成等等方面，这些方面的应用从芯片的角度来说性能上提出了新的要求。
除了刚才提到的更高发光效率以外还包括了像做定位和通讯系统，就实现更高的频率，更高的频率在微纳尺寸上更有优势。
面对未来LED的发展的形式，它实际上是给我们提供了一个非常好的一种芯片的形式，跟以往的光源都不可设计的，用这些的芯片形式设计出我们想要的芯片形式。
在纳米线的生长过程中我们发现了很多有意思的现象，比如说红光光谱，生长过程中的转折，及其新的结构形式，也非常愿意跟大家一起来探讨和分享，包括在一些新兴器件里面的应用等等。
用纳米线来做一些电学的器件或者是光学的器件，在接触方面未来的发展，它的可靠性它的一些电学性能怎么样更好或者是比现在平面的器件？
她表示，确实是一个挑战，首先能够实现纳米线的生长就是一个挑战，做到纳米线的器件更是一个挑战，像光控就需要很多的微型技术的，用石墨烯做互联，也是纳米线的一种互联形式。另外也是更有赖于现在半导体技术的，微纳技术的发展，我们的器件才有可能快速的做出来。（根据现场速记整理，如有出入敬请谅解！）
