11月9日，英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线正式通线投产。该技术突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战，达到全球领先水平。它对解决我国半导体产业的技术瓶颈，带动上下游产业发展，助力我国半导体产业和先进制造业的崛起具有重要的促进作用。副市长阎武出席了投产仪式。
德国科学院院士Eicke R.Weber教授致辞时表示，公司将带动中国半导体产业领先国际
英诺赛科（珠海）科技有限公司（简称“英诺赛科公司”）是2015年12月由美国英诺赛科集团与珠海市高新创投等共同发起成立的半导体企业，一期项目坐落于珠海市高新区，共投资10.9亿元人民币，将以雄厚的技术实力打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试为一体的世界领先的宽禁带半导体企业。
英诺赛科公司已经拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术，突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战。经过两年的努力，公司已建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，主要产品包括100V-650V氮化镓功率器件，设计及性能均达到国际最先进水平，具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷及无电流崩塌等特点。将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。
出席仪式的中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田、欧洲微电子所（IMEC）副总裁Rudi Cartuyvels、德国爱思强（Aixtron）公司总裁Dr. Felix J. Grawert等众多国际行业领袖对英诺赛科公司取得的突破表示高度赞赏。
英诺赛科公司董事长骆薇薇博士和公司创始人德国科学院院士Eicke R.Weber教授表示，将发挥技术领先优势，将公司打造成世界级半导体企业，助推中国创新发展。
在当天下午举行的现场研讨会上，多名业内知名专家就氮化镓技术发展、应用验证、市场拓展和公司运营等进行了战略研讨，一致认为：氮化镓产业已经到了爆发前夜，公司率先在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破，先机已备，为今后的成功奠定了良好基础，必将为中国在半导体领域实现“换道超车”做出贡献。
