“高效半导体照明关键材料技术研发（一期）、（二期）”项目开展了Si和蓝宝石衬底上高光效低成本的LED外延和产业化关键技术、芯片及封装应用技术等方面的研究，研制出高质量SiC和GaN衬底、深紫外LED器件、高效白光OLED器件和灯具、高质量GaN外延材料、高功率LED薄膜倒装器件等成果，获得了拥有自主知识产权的高品质白光照明产品，实现了高纯金属有机化合物（MO）源、荧光粉、硅胶等关键材料的国产化，以及LED在植物生长、医疗等领域的应用。
“十三五”期间，为加快推动材料领域科技创新和产业化发展，科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，在新材料技术发展方面，重点发展战略性电子材料、先进结构与复合材料、新型功能与智能材料，满足战略性新兴产业的发展需求。在战略性电子材料发展方向中对第三代半导体材料与半导体照明技术进行了系统布局，重点研究内容包括：大尺寸、高质量第三代半导体衬底和薄膜材料外延生长调控规律，高效全光谱光源核心材料、器件和灯具全技术链绿色制造技术，超越照明和可见光通讯关键技术、系统集成和应用示范，高性能射频器件、电力电子器件及其模块设计、工艺技术及应用示范，核心装备制造技术等。
