2018年1季度第三代半导体产业投资并购动态

 

 

　　投资扩产方面，继2017年底三安光电、士兰微等企业大笔投资SiC和GaN产业后，2018年2月，华灿光电与义乌信息光电高新技术产业园区管理委员会签署合作协议，拟投资108亿元建设先进半导体与器件项目，建设周期7年。

 

　　项目内容：①LED外延及芯片；②蓝宝石衬底；③紫外LED；④红外LED；⑤microLED；⑥MEMS传感器；⑦垂直腔面发射激光器（VCSEL）；⑧氮化镓（GaN）基激光器；⑨氮化镓（GaN）基电力电子器件等先进半导体与器件项目。

 

 

　　产线建设方面，多条产线相继投产。据企业公布的信息，2018年2月，北京世纪金光6英寸碳化硅器件生产线成功通线，该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通；2月份，美林电子在山东淄博投资5000万元建设的一条SiC二极管生产线通过竣工环境保护验收并正式投入生产；2018年世界先进的8英寸GaN-on-Si制程将进入量产，成为全球第一家提供8英寸GaN晶圆代工的业者。

 

　　企业并购方面，据材料深一度不完全统计，2018年1季度共发生3起并购项目。Littelfuse以6.55亿美元收购IXYS，科锐以3.45亿欧元收购英飞凌射频业务，IQE以500万美元收购Silex Systems 旗下子公司Translucent公司拥有的cREO（TM）技术和IP组合。

 

　　此外，业内企业的合作不断加强。科锐为英飞凌长期提供6英寸SiC晶圆；STM为MACOM提供射频用的Si基GaN晶圆制造服务，MACOM授权STM制造和销售除移动电话、无线基站及相关商业通信基础设施应用领域以外的Si基GaN射频产品；Qromis与比利时IMEC合作开发出基于8英寸衬底的增强型p-GaN功率器件，此前，Qromis已经与美国材料厂商Kyma、晶圆代工企业世界先进达成合作。