共研第三代半导体在电动汽车领域的应用路径
发展新能源汽车正在被世界各国确立为保障能源安全和转型低碳经济的重要途径，据相关机构推测，到2020年全世界新能源汽车产销量将达到2000万辆。我国也规划了到2020年实现销量将达到500万辆的目标。
但现阶段，相同规格能源车的价格是常规动力汽车的1.5~2倍，昂贵的价格是消费者难以接受的，这也是新能源汽车普及和推广的最大难题。目前各国普遍采用的方法是实现关键部件的轻量化、提高功率密度，来进一步延长续航距离和降低整车成本。
电池、电机、电机驱动是新能源汽车的三大核心部件，世界各国都在竭力降低这三大部件的体积和重量。电机驱动由主回路和控制电路构成，而主回路部分的体积和重量约占总体的85%。功率器件是主回路的核心。在影响电机驱动体积与重量的各部件中，功率器件所占的比重超过65%。因此，围绕功率器件进一步提高功率密度成为世界各研发机构降低电机驱动成本的研发重点。
近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料的出现，为器件性能的进一步大幅度提高提供了可能。碳化硅材料与常规的Si材料相比，在关键属性上有如下优势：（1）击穿场强为Si的10倍，具有更强的浪涌电压承受能力和更低的比通态电阻；（2）热导率为Si的3倍，具有更高电流密度；（3）禁带宽度为Si的3倍，具有更高的工作温度。具体来说，碳化硅所制造的芯片功率损耗小、耐高温、并能高频运行，适合应用在运输工具的变频器中，有望带来革命性变化。
为抢占下一代新能源汽车用电机驱动系统技术制高点，引领宽禁带半导体应用的新纪元，科技部、发改委、工信部和原国家自然科学基金委等多个部门携手，大力推进SiC功率器件和系统研发，在基础研究、关键技术和具体应用等多个层面给予了有力的支持。国内高校、企业和研究所陆续开展了相关研究，初步构建了SiC“单晶-外延-器件”产业链条。我国正在掌握宽禁带电力电子的关键技术，科研工作已从过去的单纯跟踪向领先技术突破迈进。
为了更好的对接国家重大需求，促进第三代半导体在新能源汽车中的应用，加快产业协同创新及发展，第三代半导体产业技术创新战略联盟将于2018年6月8日在北京召开“第三代半导体支撑新能源汽车创新发展高峰论坛”，共同探讨跨产业协同创新机制，聚智聚力，一起研讨第三代半导体在电动汽车领域的应用路径，为新能源汽车在基础材料、关键零部件等产业链关键环节建立结构完整、自主可控的产业体系建言献策。
