前景广阔 看碳化硅材料与电力电子器件技术的“花式”进展

  本届论坛由科学技术部高新技术发展及产业化司、国家发展和改革委员会西部开发司、国家发展和改革委员会资源节约和环境保护司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家标准化管理委员会工业标准二部、深圳市科技创新委员会等政府部门支持，张家港高新技术产业开发区给予特别支持。国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区政府联合主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，并有近50家跨区域的组织机构提供智力支持。

 

  作为行业年度盛会，本届论坛将以“创芯聚智 共享生态”主题，聚焦半导体照明技术、第三代半导体材料等前沿进展，同期几十场不同类型、规格的分会，兼顾现在与未来，以最宽广的视角，看产业发展。
 

  其中，“碳化硅材料与电力电子器件技术”分会涵盖SiC衬底、同质外延和电力电子器件技术，广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名专家参加本次会议，充分展示碳化硅材料及电力电子器件技术的最新进展。据组委会透露，目前碳化硅电力电子器件技术专场分会，阵型已出，大腕云集，看点十足。同时为了全方位保证分会的高水准，分会采用主席+分会团的模式，兼顾产学研，每一环节都有超强专家的鼎力支持。
 

   浙江大学教授、博士生导师盛况与山东大学教授徐现刚将共同担任分会主席。盛况主要从事电力电子器件及电力电子集成电路领域的研究，主持国家863项目、国家科技重大专项项目、国家自然基金项目，以及其他省部级项目等近10项。徐现刚师从于蒋民华院士，主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作。自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用工作，制备出多种量子异质结构材料，应用到多种半导体器件。自2000年开始SiC单晶生长和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC单晶的生长与衬底加工技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题，制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。
 

  分会委员团队同样星光熠熠，力邀多位国内外的权威专家共同坐镇。分会委员柏松，中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员，一直致力于SiC器件的研发，在国内首先实现了击穿电压超过10kV的SiC肖特基二极管和SiC PiN二极管，在高压SiC JFET和SiC MOSFET技术开发方面也取得了重要成果。
 

  分会委员陈小龙，中国科学院物理研究所研究员，德国海德堡大学和巴洛意特大学洪堡学者。长期从事宽禁带半导体材料和新功能晶体材料探索方面的研究工作，系统开展了碳化硅晶体生长的基础和应用开发研究工作，解决了多项关键科学问题和系列关键技术，生长出2-4英寸高质量晶体；攻克了晶体制备重复性和稳定性等关键工程化问题，在国内率先实现了碳化硅晶体的产业化。
 

  分会委员孙国胜，东莞市天域半导体科技有限公司副总经理，主要从事第三代宽带隙SiC（碳化硅）半导体外延材料生长、特性表征、以及SiC功率半导体器件研制工作。在“九五”、“十五”和“十一五”期间，广泛开展了SiC半导体技术的研发工作，其中包括MEMS器件用Si（硅）基SiC半导体材料异质外延生长技术、SiC功率半导体器件用SiC同质外延生长技术、以及SiC功率半导体器件和SiC MEMS器件制造技术。利用自有技术，先后研制出高温SiC热壁CVD外延生长设备（包括水平式与垂直式）、高温退火装置、高温氧化装置，并获得国家发明专利和实用新型专利多项。
 

   除了强大的支持团队，众多高质量的精彩报告当然是少不了的。美国伦斯勒理工学院教授周达成，GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN，瑞典皇家工学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI，美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis，瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCH?NER、香港应用科技研究院功率器件组总监袁述、中电科第十三研究所工程师刘佳佳、深圳基本半导体有限公司副总经理张振中等国内外精英们将围绕碳化硅材料及电力电子器件技术研究，从不同角度，分享最新的研究进展。
 

   超强的阵容组合，加上高质量的内容，本次分会将全方位呈现当前碳化硅材料与电力电子器件的研究进展，技术进展如何？有哪些趋势？……相信你想知道的，都会有答案。10月，我们深圳见！

会议日程