本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
中国科学院半导体研究所研究员 曾一平
“半导体装备与智能制造”分会作为SSLCHINA论坛重要分会之一，由北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备（上海）有限公司、维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司支持协办，中国科学院半导体研究所研究员曾一平主持。
沙特阿卜杜拉国王科技大学 Kazuhiro OHKAWA教授
会上，来自沙特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授、北京北方华创微电子装备有限公司产品总监董博宇、江苏大学左然教授、中微半导体设备（上海）有限公司副总裁 & MOCVD产品事业部总经理郭世平、美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE、中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛和南京大学陈琳分别从各自擅长领域带来半导体装备及技术工艺最新研究进展。
AlGaN MOVPE通常采用低压生长。在大气压下，其生长速率会显著下降。来自沙特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。
北京北方华创微电子装备有限公司产品总监 董博宇
北京北方华创微电子装备有限公司产品总监董博宇带来了《磁控溅射制备的ITO薄膜在LED领域中的开发及应用》主题报告。
AlN是最重要的III-V族半导体之一。在III族氮化物（AlN、GaN和InN）中，AlN具有最宽的带隙、与GaN较低的晶格失配和热失配，以及最强的金属-氮键。它特别适用于制备紫外/深紫外光电子器件，以及GaN基功率半导体异质结的缓冲层和过渡层。在AlN MOCVD生长中，由于Al与N之间的强配位键，气相寄生反应强烈，表面迁移率低，导致生长速率低，生长效率低，薄膜质量差。目前，AlN外延生长已成为制约AlN相关器件应用的瓶颈。深入了解AlN MOCVD的气相和表面反应机理，对于改善生长工艺和薄膜质量具有重要意义。
江苏大学 左然教授
江苏大学左然教授分享了《AlN MOCVD的气相和表面反应机理的量子化学计算》研究报告。他介绍到，课题组利用量子化学的密度泛函理论（DFT），对AlN MOCVD的气相和表面反应进行的理论研究。在气相反应中，已知三条反应路径：TMAl直接热解、TMAl氢解、以及TMAl与NH3的氨基物的形成和聚合。将寻找每条反应路径所依赖的条件，包括反应器几何结构和工艺参数，确定表面反应的主要前体，以及纳米粒子形成的条件。对于AlN的表面反应，我们将研究主要的含Al粒子在AlN表面的吸附和扩散，包括仅含有A- C键的MMAl，以及含有A1-N核的氨基物DMANH2和Al(NH2)3，并比较在不同表面条件（理想或非理想）下的各种吸附结构、吸附能和扩散势垒。并探讨二维台阶生长的最佳条件及其与表面形貌、表面覆盖率和气相条件之间的关系。
中微半导体设备（上海）有限公司副总裁 & MOCVD产品事业部总经理 郭世平
中微半导体设备（上海）有限公司副总裁 & MOCVD产品事业部总经理郭世平带来了《氮化物深紫外LED生产型MOCVD机台设计及外延生长的挑战》主题报告。
美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监 Mark MCKEE
美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏：关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到，微型LED显示屏比其他显示技术，如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加坚固柔韧。然而，微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂，这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时，微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出，从外延和LED转换方面对微型LED显示屏进行成本分析。展示移动外延和大规模转移方面的进展，以优化显示器的总成本。
中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监 张丛
中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛分享了《国产离子注入机发展及应用》主题报告。
南京大学 陈琳
南京大学陈琳介绍了《6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟》主题报告。他介绍说，为提高宽带隙半导体光电器件的性能，高质量、大面积和低成本GaN衬底的需求日益迫切。氢化物气相外延是制备大尺寸高质量GaN衬底的最广泛应用的方法。采用CFD方法对6英寸HVPE系统的生长腔进行了三维仿真模拟和优化，对腔体中的关键几何参数、反应压力以及衬底旋转等的影响进行了数值分析。模拟研究表明，在改变衬底位置时，V/III比分布的改变可以使得生长速率的均匀性得到优化；衬底转速的调整可以使气体流线分布更整齐，通过消除涡旋从而提高生长质量。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解。】
