近年来，随着各种半导体发光材料和器件的不断发展，新型显示技术与照明技术的结合更加紧密，为未来显示与照明技术的交叉和多元化应用奠定了基础。从器件角度看，新型显示与照明技术所对应的发光器件包括：Micro-LED、有机发光二极管（OLEDs）、量子点发光二极管（QLEDs）、半导体激光器、钙钛矿发光二极管（PerLEDs），以及其他新型半导体发光器件。其中，Micro-LED近年来发展尤为迅速，未来发展可期。
2018年10月23日-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心盛大召开。24日，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会聚集了国内外知名专家和企业代表，共同探讨了Micro-LED等新型显示技术前沿进展。
本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
“Micro-LED与其他新型显示技术分会”作为论坛重要分会之一，今年继续设定为“主题日”活动。分会得到了爱思强、德豪润达、国星光电、晶科电子的支持协办。上半场，来自加拿大滑铁卢大学William WONG教授、香港科技大学首席刘纪美教授、北京大学陈志忠教授、复旦大学张树宇副教授、广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌、俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM；下半场，有来自台湾交通大学佘庆威教授、南方科技大学副教授刘召军、厦门大学电子科学系教授，福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军、北京工业大学教授郭伟玲、南京大学电子科学与工程学院教授刘斌、德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT、复旦大学副教授田朋飞等国内外知名专家学者企业代表为分会奉献了高水准研究报告。
加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏：单片方法的优点和问题》报告中指出，大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来，LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比，led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。
全彩色micro-display的实现仍然是最大的挑战，因为有选择地在一个基片上生长三个不同波长的发光二极体，以产生三种原色是不现实的。致力于投影显示应用，我们演示了一种新型的3LED灯光引擎，可以在屏幕上投影全彩色视频。3LED由三色棱镜组成，它结合了三种LED微显示器产生的RGB图像，这三种微型显示器基于AlGaInP(红色)和GaN(绿色和蓝色)材料。在近眼显示应用中，通过喷墨打印技术在微LED阵列上打印RGB量子点，实现了高画质全彩色LED微显示。
北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱μLEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20μm紫外线导致氮化镓衬底。效率为μLEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。
复旦大学副教授张树宇在《135%NTSC色域的CsPbX3钙钛矿量子点薄膜》主题报告中表示，全无机CsPbX3 (X=I, Br, Cl)钙钛矿量子点(QDs)由于其优异的光学性能，包括极高的光致发光量子产率、狭窄的谱线宽度和广泛的可调发射，很可能成为下一代量子点显示技术。在制造过程中避免高温和惰性气氛的新方法是室温(RT)再结晶，为低成本大批量生产CsPbX3 QDs提供了一条很有前途的途径。然而，RT合成的QDs在工作条件下的稳定性性能与传统QDs不具有可比性，严重限制了其实际应用。
广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌介绍了《Micro 和 Mini LED 焊接技术》主题报告。
俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM介绍了《塑造μ-LED芯片形成内部微反射器，提高出光效率的一种方式》主题报告。他表示，微型LED在极高电流密度下工作的光源，其器件自热、由俄歇复合引起的效率下降和表面复合成为限制器件性能的主要因素。特别是当器件尺寸减小时，表面复合导致μ-LED峰值效率向更高电流密度处偏移且数值降低。早期对μ-LED的研究主要集中在它们的电流调制特性上。直到最近，效率提高才成为μ-LED的研究热点。通常，μ-LED的外量子效率（EQE）的最大值不超过10％，这归因于来自LED管芯的非最佳出光。 最近报道了一个10×10 μm2的器件在35 A / cm2的电流密度下，得到了40.2%的EQE值，其到硅片的出光折射率为1.41 [1]。这些μ-LED使用异形蓝宝石作为LED结构的衬底，并最小化器件发射表面上的金属电极面积，以改善它们的LEE。【根据资料整理，如有出入敬请谅解！】
