2018年10月23日-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心盛大召开。24日，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会聚集了国内外知名专家和企业代表，共同探讨了Micro-LED等新型显示技术前沿进展。
“Micro-LED与其他新型显示技术分会”作为论坛重要分会之一，今年继续设定为“主题日”活动。分会得到了爱思强、德豪润达、国星光电、晶科电子的支持协办。上半场，来自加拿大滑铁卢大学William WONG教授、香港科技大学首席教授刘纪美、北京大学陈志忠教授、复旦大学张树宇副教授、广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌、俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM；下半场，由来自台湾交通大学佘庆威教授、南方科技大学副教授刘召军、厦门大学电子科学系教授，福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军、北京工业大学教授郭伟玲、南京大学电子科学与工程学院教授刘斌、德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT、复旦大学副教授田朋飞等国内外知名专家学者企业代表为分会奉献了高水准研究报告。
俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM先生介绍了《塑造μ-LED芯片形成内部微反射器，提高出光效率的一种方式》研究报告。他介绍说，Micro-LEDs在极高电流密度下工作的光源，其器件自热、由俄歇复合引起的效率下降和表面复合成为限制器件性能的主要因素。特别是当器件尺寸减小时，表面复合导致μ-LED峰值效率向更高电流密度处偏移且数值降低。早期对μ-LED的研究主要集中在它们的电流调制特性上。直到最近，效率提高才成为μ-LED的研究热点。通常，μ-LED的外量子效率（EQE）的最大值不超过10％，这归因于来自LED管芯的非最佳出光。 最近报道了一个10×10 μm2的器件在35 A / cm2的电流密度下，得到了40.2%的EQE值，其到硅片的出光折射率为1.41 。这些μ-LED使用异形蓝宝石作为LED结构的衬底，并最小化器件发射表面上的金属电极面积，以改善它们的LEE。
另一种方法是，设计大尺寸的AlGaInP红色LED [2]而不是单一μ-LEDs，并基于倒装芯片装置安装在散热器上。这里，在生长LED结构之后通过蚀刻形成台面的倾斜壁用作发射光子的微反射器。将晶圆片的倒装在载体衬底上后，去除原始衬底，并对n型接触层的背面进行纹理处理以增加LEE[2]。对于InGaN基的μ-LED而言，使用这种微反射器似乎非常有前景，前提是LED芯片的几何形状被仔细优化并且考虑氮化物半导体和所采用的其他材料的特定性质。
建模与仿真是优化μ-LED设计的有力方法。因为μ-LED工作在极高的电流密度下，电、热、和光学现象互相强耦合，因此通常需要联合3D仿真。我们使用了SimuLED软件包，分析了具有微反射器配备的μ-LED的工作状态，并提出了一种基于修改μ-LED芯片形状的有效提高效率的方法。并计算了具有优化设计的μ-LED的主要特性，并与大尺寸器件进行了比较。
