2018年10月23-25日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳市龙华区政府联合主办的第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。
期间，“氮化镓材料与器件技术”分会如期召开，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
会上，日本名城大学副教授Motoaki IWAYA，香港科技大学教授陈敬，电子科技大学教授明鑫，加拿大多伦多大学教授吴伟东，德国亚琛工业大学教授、AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN，北京大学高级工程师杨学林，中科院半导体所张翔等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心研究员、苏州纳维科技有限公司董事长徐科，电子科技大学教授张波与中山大学电力电子及控制技术研究所所长、广东省第三代半导体GaN材料与器件工程技术研究中心主任刘扬共同主持了本届分会。
近年来，垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。北京大学冯玉霞博士带来了关于Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的报告，分享了最新的研究成果。
冯玉霞表示，在先前的研究中，使用铝含量较低的氮化镓缓冲层获得了3.0?m连续氮化镓层。通过进一步采用这种技术和使用新的GaN错位过滤技术,连续的氮化镓层的厚度可以增加7.3?m。外延层的总厚度包括AlN和AlGaN衬底缓冲区大约8.0?m。
碳(C)掺杂是产生功率电子的半绝缘GaN的关键。然而，到目前为止，对碳掺杂氮化镓的性质，特别是晶格位置的占有，还不是很清楚。冯玉霞表示，研究证明了在FTIR和拉曼光谱中观察到的两条新线来自于N子晶格上取代基C的局部振动模，即具有局部C3v对称的孤立CN。它们分别被分配到C3v点群的非简并A1模式和双简并E模式。实验数据与第一性原理计算结果一致。因此，我们首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据，从而为长期存在的争议带来了重要信息。
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