2018年10月23-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳市龙华区政府联合主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
25日上午，IFWS 2018之“氮化镓材料与器件技术”分会召开。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。
会上，日本名城大学副教授Motoaki IWAYA，香港科技大学教授陈敬，电子科技大学教授明鑫，加拿大多伦多大学教授吴伟东，德国亚琛工业大学教授、AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN，北京大学高级工程师杨学林，中科院半导体所张翔等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心研究员、苏州纳维科技有限公司董事长徐科，电子科技大学教授张波与中山大学电力电子及控制技术研究所所长、广东省第三代半导体GaN材料与器件工程技术研究中心主任刘扬共同主持了本届分会。
与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。
会上，加拿大多伦多大学教授吴伟东介绍了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路，该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调节电流传感比率、可实现片上智能数字控制。该集成电路设计应用于驱动带有内置低压硅场效应晶体管的共源共栅结构的D型氮化镓HEMT器件。借助片上堆栈CPU，该完全集成的栅极驱动集成电路，能够实现灵活的内部控制、电流模式调节、快捷的振铃抑制和效率提升。内置CPU带有一个100MHz的内部系统时钟，能够产生100kHz到50MHz的脉冲宽度调制信号。借助4比特动态链接库模块，该混合型 DPWM能够实现625像素的分辨率。应用本论文提出的技术，在不牺牲开关转换速度的前提下，HEMT器件栅极节点处的振铃减少86%，电流尖峰减少83%。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
