本届论坛将以“创芯聚智 共享生态”主题，其中，IFWS 2018围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括固态紫外器件技术、碳化硅材料与电力电子器件技术、氮化镓材料与电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封装与应用”分会召开。分会主题涵盖宽禁带半导体电力电子器件封装设计、工艺、关键材料与可靠性评价等方面，邀请国内外知名与家参加本次会议展示宽禁带半导体电力电子器件封装技术及其可靠性评价的最新进展。
法国国家科学研究中心(CNRS)科学家Cyril BUTTAY，天津大学材料科学与工程学院教授、弗吉尼亚理工大学终身教授陆国权，西安交通大学教授王来利，重庆大学教授叶怀宇，南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室副主任、研究员黄润华，中国科学院电工研究所研究员宁圃奇，香港应用科技研究院有限公司电子元件部高级经理李天河等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。天津大学材料科学与工程学院教授、弗吉尼亚理工大学终身教授陆国权主持了本届分会。
会上，法国国家科学研究中心(CNRS)科学家Cyril BUTTAY带来了10 kV SiC MOSFET封装之电气和热性能之间的权衡的报告。碳化硅晶体管可以实现10kV以上的阻塞电压。这使得它们对能量传输和分配有很强的吸引力。虽然理论上SiC设备可以工作在高温(超过200°C),SiC场效应管的开态电阻强烈依赖于结温。Cyril BUTTAY表示，研究结果表明，这些晶体管必须实际操作在一个相对较低的结温(小于100°C)来提高转换效率,防止热失控。这种对高性能冷却系统的要求对封装技术产生了影响:相应的电源模块必须既具有高电压绝缘又具有低热阻。特别地，在碳化硅装置和冷却系统之间的陶瓷基板的厚度之间有一个权衡。Cyril BUTTAY及其研究团队提出并证明了一种新的衬底结构，其特点是提高了衬底的电压强度而不增加衬底的厚度。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
