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天津大学材料科学与工程学院教授陆国权:电动汽车用平面型双面水冷碳化硅模块的封装关键技术

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-10-31 来源:中国半导体照明网浏览次数:893
   2018年10月23-25日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、深圳市龙华区人民政府主办的第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)在深圳会展中心举行。本届论坛。
 
  本届论坛将以“创芯聚智 共享生态”主题,其中,IFWS 2018围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用,设置了包括固态紫外器件技术、碳化硅材料与电力电子器件技术、氮化镓材料与电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展,提供全球范围的全产业链合作平台。
 
  10月25日上午,IFWS 2018之“功率器件封装与应用”分会召开。分会主题涵盖宽禁带半导体电力电子器件封装设计、工艺、关键材料与可靠性评价等方面,邀请国内外知名与家参加本次会议,充分展示宽禁带半导体电力电子器件封装技术及其可靠性评价的最新进展。
 
  法国国家科学研究中心(CNRS)科学家Cyril BUTTAY,天津大学材料科学与工程学院教授、弗吉尼亚理工大学终身教授陆国权,西安交通大学教授王来利,重庆大学教授叶怀宇,南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室副主任、研究员黄润华,中国科学院电工研究所研究员宁圃奇,香港应用科技研究院有限公司电子元件部高级经理李天河等中外同行专家,带来精彩报告,并分享各自的最新研究成果。天津大学材料科学与工程学院教授、弗吉尼亚理工大学终身教授陆国权主持了本届分会。
陆国权
 
  碳化硅宽带隙半导体材料和功率器件技术的进步使节能的功率开关成为可能,其性能指标比传统的硅功率开关具有更低的通电阻、更高的阻塞电压、更低的开关损耗和更高的工作结温。然而,这些宽带隙器件的封装正成为它们广泛应用的瓶颈。传统的硅功率模块封装在绝缘金属基板上,由于高寄生电感、低热提取能力、低附着和基板可靠性以及低温互连和封装材料,限制了高性能SiC器件的潜力。
 
  天津大学材料科学与工程学院教授、弗吉尼亚理工大学终身教授陆国权分享了电动汽车用平面型双面水冷碳化硅模块的封装关键技术。介绍了研究团队开发的一种封装解决方案,用于制造低调的、双面冷却的SiC电源模块,以使电动汽车的功率密度转换大大提高。其封装解决方案有三个关键的创新:(1)无线粘结,低寄生电感器件互连,碳化硅器件两侧有散热能力;(2)烧结银结合,提高热电性能和热机械可靠性;(3)高导热系数、高可靠性的氮化硅直接粘结铜基板。同时他还介绍了一种60kw逆变器的模块设计、材料选择、模块组装过程以及模块的测试结果。
 
  (内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
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