2018年10月23-25日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳市龙华区政府联合主办的第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。
10月24日下午，“固态紫外器件技术”分会如期举行，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜，华中科技大学教授陈长清，北京大学副教授许福军，三重大学助理教授永松谦太郎，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱，厦门大学教授黄凯，中南大学教授汪炼成，南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
发射短波紫外线波长(λ≤280nm)的AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)可广泛应用于水/空气净化、日常消毒、表面消毒、医疗诊断和生化剂检测等领域。北京大学副教授许福军带来了高质量AlN和AlGaN基深紫外发光二极管外延生长研究的报告，分享了最新的研究成果。
其研究团队系统地研究了高质量的AlN、AlGaN和随后的高效AlGaN倍增量子阱以及p型AlGaN，包括研究了在纳米蓝宝石或AlN模板上生长高质量AlN。对于（0002）和（10-12）AlN的反射，最佳X射线ω扫描半峰全宽（FWHM）值分别达到106和143弧秒。AFM图像显示台阶很直，均方根（RMS）的值为0.072 nm。在高结晶质量的AlN的基础上，制备了目标波长为280 nm的AlGaN基MQW。 归功于MQW中108 cm-2数量级的低位错密度，279 nm波长的MQW通过温度依赖的PL光谱测量获得了高于80％的IQE值。研究了具有高铝摩尔分数的高空穴浓度p型AlGaN层的制备。开发了一种高度可控的金属原子解吸技术，以实现具有更高铝摩尔分数的超薄AlGaN。在该生长方案中进行Mg掺杂，Mg原子浓度大于1019 cm-3。霍尔测量表明，室温下空穴浓度达到6.7×1018 cm-3的高值，迁移率为1.03cm2 / Vs。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
