10月24日下午，“固态紫外器件技术”分会如期举行，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜，华中科技大学教授陈长清，北京大学副教授许福军，三重大学助理教授永松谦太郎，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱，厦门大学教授黄凯，中南大学教授汪炼成，南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
高质量（TDD低于105 cm2）的两英寸直径的氮化铝（AlN）衬底现已可用于生产UVC LED（波长小于280 nm）。最近一些研究小组开始开发研究波长小于240nm的UVC LED，美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER带来了“短波紫外（UVC ）LED：氮化铝衬底的优势”的报告，分享了在短波长处获得高性能UVC LED的研究进展和成果，他表示，这些c面氮化铝衬底对于短波长的UVC发光二极管具有吸引力，因为基体中的低缺陷密度，加上铝极性表面上的假外延生长，使得高含量的铝含量器件层具有同样低的TDD。这些c面氮化铝衬底对于制造短波长UVC LED很有吸引力，因为衬底中的低缺陷密度与铝极性面上的假晶外延生长相结合，使得具有低TDD的高铝含量器件层成为可能。 与使用蓝宝石等其他衬底的UVC LED器件制造技术相比，这种AlGaN/AlN技术在265nm波长表现出了优越性能和高产率，是消毒应用的最佳选择。波长越短，假晶AlGaN / AlN技术的优势更突出。
最近，有研究小组开始开发研究波长小于240nm的UVC LED。这些短波长LED有几个有趣的商业应用，包括监测水中的硝酸盐含量、排放气体中的NOx和SOx、DNA纯度分析和高性能液相色谱(HLPC)等。这些器件需要更高浓度的铝，这改善了与AlN衬底的晶格匹配，并允许生长非常高质量的外延层。AlN的能带(大于6eV)使得可以制造波长210nm左右的LED器件。 然而，在高铝浓度下实现良好的导电性和电接触越来越困难。此外，高铝浓度的e-h重组产生的光子倾向于垂直c轴传播，这使得c面衬底光子出射存在问题(TM极化问题)。
Leo SCHOWALTER表示，尽管存在这些问题，我们仍能够在235nm波长处获得高性能UVC LED。正向电压通常小于6V，即使我们采用高铝摩尔分数，与之前相比也是非常低的。20mA时，UVC LED在238 nm和235 nm波长处的输出功率分别为0.5mW和0.4mW，这是在没有特别辅助提高光子出射下获得的。这些器件的使用寿命超过1000小时。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
