10月24日下午，“固态紫外器件技术”分会如期举行，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜，华中科技大学教授陈长清，北京大学副教授许福军，三重大学助理教授永松谦太郎，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱，厦门大学教授黄凯，中南大学教授汪炼成，南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
紫外单光子探测器在军事和民用领域有重要的应用前景。4H-SiC作为新型第三代半导体材料具有禁带宽度大、载流子饱和漂移速度高、碰撞离化系数大、化学稳定性优等优势，是制备紫外雪崩光电探测器（APD）的优选材料。近年来，虽然4H-SiC APD的性能不断提高，但仍存在雪崩增益不均匀，单光子探测效率低等问题。南京大学苏琳琳带来了4H-SiC紫外雪崩光电探测器的雪崩不均匀性研究的报告，具体的研究实践表明显示器件台面内的雪崩不均匀性与[11-20]晶向有关，这对优化器件结构、提高性能有重要指导意义。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
